იზოლატორები - კარიბჭის დრაივერები

SI8273GB-IS1

SI8273GB-IS1

ნაწილი საფონდო: 30572

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 150kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 8ns,

სასურველი
SI8235BD-D-ISR

SI8235BD-D-ISR

ნაწილი საფონდო: 29028

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

სასურველი
SI8285BC-ISR

SI8285BC-ISR

ნაწილი საფონდო: 5395

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 50ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,

სასურველი
SI8283BC-ISR

SI8283BC-ISR

ნაწილი საფონდო: 5408

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 50ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,

სასურველი
SI8235BB-D-IS1

SI8235BB-D-IS1

ნაწილი საფონდო: 30521

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

სასურველი
SI8271AB-IS

SI8271AB-IS

ნაწილი საფონდო: 42919

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 150kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 8ns,

სასურველი
SI8233BD-D-IS

SI8233BD-D-IS

ნაწილი საფონდო: 24013

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

სასურველი
SI8284BC-ISR

SI8284BC-ISR

ნაწილი საფონდო: 5468

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 50ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,

სასურველი
SI8274BB1-IS1

SI8274BB1-IS1

ნაწილი საფონდო: 30571

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 150kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 75ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 19ns,

სასურველი
SI8281BC-ISR

SI8281BC-ISR

ნაწილი საფონდო: 5376

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 50ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,

სასურველი
SI8238BB-D-IS1

SI8238BB-D-IS1

ნაწილი საფონდო: 30606

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

სასურველი
SI8283CC-ISR

SI8283CC-ISR

ნაწილი საფონდო: 5386

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 50ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,

სასურველი
SI8284CC-ISR

SI8284CC-ISR

ნაწილი საფონდო: 5468

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 50ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,

სასურველი
SI8261ACA-C-IS

SI8261ACA-C-IS

ნაწილი საფონდო: 74270

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 10ns (Typ),

სასურველი
SI8261BCC-C-IS

SI8261BCC-C-IS

ნაწილი საფონდო: 50191

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 28ns,

სასურველი
SI8235BB-D-IMR

SI8235BB-D-IMR

ნაწილი საფონდო: 35621

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

სასურველი
SI8235AB-D-IS1

SI8235AB-D-IS1

ნაწილი საფონდო: 30599

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

სასურველი
SI8273DB-IS1R

SI8273DB-IS1R

ნაწილი საფონდო: 33670

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 150kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 8ns,

სასურველი
SI8274AB1-IS1

SI8274AB1-IS1

ნაწილი საფონდო: 30517

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 150kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 75ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 19ns,

სასურველი
SI8261BBC-C-IS

SI8261BBC-C-IS

ნაწილი საფონდო: 50167

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 28ns,

სასურველი
SI8261ACD-C-IS

SI8261ACD-C-IS

ნაწილი საფონდო: 41387

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 28ns,

სასურველი
SI8271GB-IS

SI8271GB-IS

ნაწილი საფონდო: 42828

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 150kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 8ns,

სასურველი
SI8273GBD-IS1R

SI8273GBD-IS1R

ნაწილი საფონდო: 33602

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 200kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 75ns, 75ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 8ns,

სასურველი
SI8271BB-IS

SI8271BB-IS

ნაწილი საფონდო: 42841

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 150kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 8ns,

სასურველი
SI8271DB-IS

SI8271DB-IS

ნაწილი საფონდო: 42826

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 150kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 8ns,

სასურველი
SI8233BB-D-IS

SI8233BB-D-IS

ნაწილი საფონდო: 31617

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

სასურველი
SI8261BCD-C-IS

SI8261BCD-C-IS

ნაწილი საფონდო: 37568

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 28ns,

სასურველი
SI8234BB-D-IMR

SI8234BB-D-IMR

ნაწილი საფონდო: 35630

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

სასურველი
SI8220DB-D-IS

SI8220DB-D-IS

ნაწილი საფონდო: 46693

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 30kV/µs (Typ), გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 40ns,

სასურველი
SI8751AB-ISR

SI8751AB-ISR

ნაწილი საფონდო: 53092

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs,

სასურველი
SI8233BB-D-IS1

SI8233BB-D-IS1

ნაწილი საფონდო: 30524

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

სასურველი
SI8261BAC-C-IS

SI8261BAC-C-IS

ნაწილი საფონდო: 50236

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 28ns,

სასურველი
SI8234BB-D-IS1

SI8234BB-D-IS1

ნაწილი საფონდო: 30514

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

სასურველი