იზოლატორები - კარიბჭის დრაივერები

SI82394BD-ISR

ნაწილი საფონდო: 27404

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 40ns, 40ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI82398CB4-IS1R

ნაწილი საფონდო: 36209

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 135ns, 95ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8235AB-D-IS1R

ნაწილი საფონდო: 36896

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8261ACA-C-ISR

ნაწილი საფონდო: 82531

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 10ns (Typ),

SI82396AD-ISR

ნაწილი საფონდო: 27366

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 40ns, 40ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8233CB-D-IMR

ნაწილი საფონდო: 35705

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8233CB-D-IM

ნაწილი საფონდო: 30713

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI82396AB-IS1R

ნაწილი საფონდო: 36170

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 40ns, 40ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8231BD-D-ISR

ნაწილი საფონდო: 39365

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8232AB-D-ISR

ნაწილი საფონდო: 51940

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8238AD-D-IS3R

ნაწილი საფონდო: 121

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 45kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8261ABC-C-ISR

ნაწილი საფონდო: 64405

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 28ns,

SI8282BC-ISR

ნაწილი საფონდო: 121

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 50ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5ns,

SI8261ABD-C-ISR

ნაწილი საფონდო: 48844

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 28ns,

SI8261BBC-C-ISR

ნაწილი საფონდო: 58602

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 28ns,

SI82394CD4-IS

ნაწილი საფონდო: 24827

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 135ns, 95ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8234AB-D-IMR

ნაწილი საფონდო: 35643

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8274DB1-IS1R

ნაწილი საფონდო: 33658

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 150kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 75ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 19ns,

SI8233BB-D-IS1R

ნაწილი საფონდო: 36851

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8271AB-ISR

ნაწილი საფონდო: 47378

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 150kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 8ns,

SI8233BB-D-IM1R

ნაწილი საფონდო: 72

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 45kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8261AAC-C-IPR

ნაწილი საფონდო: 51086

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 28ns,

SI82392BB-IS1R

ნაწილი საფონდო: 86

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 100kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 40ns, 40ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8271BB-ISR

ნაწილი საფონდო: 47338

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 150kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 8ns,

SI8287CD-ISR

ნაწილი საფონდო: 14660

SI8261ABA-C-IS

ნაწილი საფონდო: 59628

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 10ns (Typ),

SI82395CD-ISR

ნაწილი საფონდო: 27422

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 40ns, 40ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8231AB-D-IS

ნაწილი საფონდო: 44562

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8220CB-D-ISR

ნაწილი საფონდო: 56338

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 30kV/µs (Typ), გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 40ns,

SI8752AB-ASR

ნაწილი საფონდო: 44427

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 20kV/µs,

SI8261BCD-C-ISR

ნაწილი საფონდო: 44423

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 28ns,

SI8274BB1-IS1R

ნაწილი საფონდო: 33628

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 150kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 75ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 19ns,

SI8221CC-D-ISR

ნაწილი საფონდო: 49872

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 30kV/µs (Typ), გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 40ns,

SI8230BD-D-IS3R

ნაწილი საფონდო: 42

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 45kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 60ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI82396BD-ISR

ნაწილი საფონდო: 27422

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 40ns, 40ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 5.6ns,

SI8261BBC-C-IPR

ნაწილი საფონდო: 46297

ტექნოლოგია: Capacitive Coupling, არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, გარდამავალი იმუნიტეტი (მინიმალური): 35kV/µs, გამრავლების შეფერხება tpLH / tpHL (მაქს): 60ns, 50ns, პულსის სიგანის დამახინჯება (მაქს): 28ns,