ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 730mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 730mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 15mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
