ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 17nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 560mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 13.8nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,
