ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.7nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.04A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 7.3nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 9.5nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 840mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 5.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 430mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 9.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 7.3nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 8.7nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 760mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 5mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 100mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 5mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 5mA,
