ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 25mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 35mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.3nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.1nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 1.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Thin Film, მასალა - ძირითადი: Ceramic, ინდუქცია: 0.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,
