გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 0.15V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1500V/µs, -3db გამტარობა: 250MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2.5V/µs, -3db გამტარობა: 650kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 250V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 34MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 300V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 175MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 3V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 3.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.2V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 20V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 110MHz, -3db გამტარობა: 8MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 8V/µs, -3db გამტარობა: 130kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 20V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 8MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, Rail-to-Rail, Slew Rate: 1500V/µs, -3db გამტარობა: 150MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1500V/µs, -3db გამტარობა: 270MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 75V/µs, -3db გამტარობა: 13MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 1, -3db გამტარობა: 500MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 30V/µs, -3db გამტარობა: 10MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Push-Pull, Slew Rate: 25V/µs, -3db გამტარობა: 10MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 190V/µs, -3db გამტარობა: 160MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2.1V/µs, -3db გამტარობა: 500kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 100V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 16MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 2V/µs, -3db გამტარობა: 1.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 35V/µs, -3db გამტარობა: 10MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 75V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 13MHz, -3db გამტარობა: 13MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 2.7V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 12MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 20V/µs, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 20V/µs, -3db გამტარობა: 10MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Current Feedback, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 3000V/µs, -3db გამტარობა: 250MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Current Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1200V/µs, -3db გამტარობა: 880MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.8V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 3, Slew Rate: 2V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1MHz, -3db გამტარობა: 1.2MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2V/µs,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 2V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 2MHz, -3db გამტარობა: 2MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Zero-Drift, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 3.4MHz, -3db გამტარობა: 6.5MHz,
