გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 61V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 16.3MHz, -3db გამტარობა: 9.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2.1V/µs, -3db გამტარობა: 500kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 3400V/µs, -3db გამტარობა: 1.35GHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 2.7V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 12MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 1V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 2.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 2V/µs, -3db გამტარობა: 1.2MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.2V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Current Feedback, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 390V/µs, -3db გამტარობა: 200MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 75V/µs, -3db გამტარობა: 13MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 300V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 175MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 48V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 18MHz, -3db გამტარობა: 16MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 60V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 25MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 23V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 8MHz, -3db გამტარობა: 15.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 0.3V/µs, -3db გამტარობა: 900kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 2V/µs, -3db გამტარობა: 1.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 50V/µs, -3db გამტარობა: 3.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.2V/µs, -3db გამტარობა: 1MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2V/µs, -3db გამტარობა: 825kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 20V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 8MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 300V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 50MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Current Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2000V/µs, -3db გამტარობა: 60MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, Rail-to-Rail, Slew Rate: 800V/µs, -3db გამტარობა: 410MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Transimpedance, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 240MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Current Feedback, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 2250V/µs, -3db გამტარობა: 350MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 20V/µs, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 20V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 110MHz, -3db გამტარობა: 8MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.3V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 300V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 50MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 3V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1.9MHz, -3db გამტარობა: 1.9MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.8V/µs, -3db გამტარობა: 2.2MHz,
