გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 12.5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 20MHz, -3db გამტარობა: 20MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 300V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 50MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 2V/µs, -3db გამტარობა: 1.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, -3db გამტარობა: 700kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 170V/µs, -3db გამტარობა: 40MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 80V/µs, -3db გამტარობა: 80MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.2V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 50V/µs, -3db გამტარობა: 3.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Zero-Drift, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 2V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1.5MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.3V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 540kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 5V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1MHz, -3db გამტარობა: 1MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 2V/µs, -3db გამტარობა: 1.2MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.2V/µs, -3db გამტარობა: 1MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 5000V/µs, -3db გამტარობა: 1.7GHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Zero-Drift, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 0.4V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 430kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 275V/µs, -3db გამტარობა: 90MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 100V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 16MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 0.22V/µs, -3db გამტარობა: 100kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 20V/µs, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1200V/µs, -3db გამტარობა: 240MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 170V/µs, -3db გამტარობა: 110MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1150V/µs, -3db გამტარობა: 325MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 250V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 34MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Current Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2000V/µs, -3db გამტარობა: 60MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 60V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 25MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 14V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 10MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 3400V/µs, -3db გამტარობა: 1.35GHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.1V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 400kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 4.5V/µs, -3db გამტარობა: 570kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Voltage Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1300V/µs, -3db გამტარობა: 320MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 20V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 110MHz, -3db გამტარობა: 8MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 75V/µs, -3db გამტარობა: 13MHz,
