გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.06V/µs, -3db გამტარობა: 80kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 0.3V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Instrumentation, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.2V/µs, -3db გამტარობა: 1MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2.1V/µs, -3db გამტარობა: 500kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 75V/µs, -3db გამტარობა: 13MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 20V/µs, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 4, Slew Rate: 0.15V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 0.15V/µs, -3db გამტარობა: 800kHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 20V/µs, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Programmable Gain, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 24V/µs, -3db გამტარობა: 4MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Variable Gain, სქემების რაოდენობა: 1, -3db გამტარობა: 500MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1.8V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Current Feedback, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 2000V/µs, -3db გამტარობა: 60MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 100V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 16MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 300V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 50MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 250V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 34MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 350V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 50MHz, -3db გამტარობა: 50MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, Slew Rate: 1200V/µs, -3db გამტარობა: 360MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Differential, Slew Rate: 2000V/µs, -3db გამტარობა: 400MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: Differential, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 1100V/µs, -3db გამტარობა: 290MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, Slew Rate: 140V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 26MHz, -3db გამტარობა: 46MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, Slew Rate: 300V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 50MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 4, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 2V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 2MHz, -3db გამტარობა: 2MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: J-FET, სქემების რაოდენობა: 1, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 3V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1.8MHz, -3db გამტარობა: 1.9MHz,
გამაძლიერებლის ტიპი: General Purpose, სქემების რაოდენობა: 2, გამოყვანის ტიპი: Rail-to-Rail, Slew Rate: 3V/µs, მოიპოვეთ გამტარუნარიანობის პროდუქტი: 1.9MHz, -3db გამტარობა: 1.9MHz,
