ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 17

2SCR346PT100Q

ნაწილი საფონდო: 157420

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SA1774TLQ

ნაწილი საფონდო: 113538

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SC4097T106R

ნაწილი საფონდო: 193291

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 32V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 10mA, 3V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SA1576AT106R

ნაწილი საფონდო: 147208

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SD1980TL

ნაწილი საფონდო: 116363

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SC5866TLQ

ნაწილი საფონდო: 123361

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SD2704KT146

ნაწილი საფონდო: 155152

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 300mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SC4617TLS

ნაწილი საფონდო: 149780

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SC4083T106N

ნაწილი საფონდო: 157882

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 11V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SCR552P5T100

ნაწილი საფონდო: 199820

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SC2412KT146R

ნაწილი საფონდო: 199058

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SA2007E

ნაწილი საფონდო: 54675

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 12A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 320 @ 2A, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SC4617TLR

ნაწილი საფონდო: 116793

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SC4081T106R

ნაწილი საფონდო: 171402

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SA1834TLS

ნაწილი საფონდო: 135197

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SA1862TLP

ნაწილი საფონდო: 138080

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SAR543DTL

ნაწილი საფონდო: 129992

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SC5103TLP

ნაწილი საფონდო: 153023

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 82 @ 1A, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SD1759TL

ნაწილი საფონდო: 174368

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2mA, 600mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 3V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SD2318TLU

ნაწილი საფონდო: 177382

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 560 @ 500mA, 4V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SD2318TLV

ნაწილი საფონდო: 177330

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 560 @ 500mA, 4V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SB1316TL

ნაწილი საფონდო: 171262

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SAR513PT100

ნაწილი საფონდო: 172256

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SC5161TLB

ნაწილი საფონდო: 182277

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SD2195T100

ნაწილი საფონდო: 193194

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SB1474TL

ნაწილი საფონდო: 184573

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SB1183TL

ნაწილი საფონდო: 184588

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2mA, 600mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SCR574DGTL

ნაწილი საფონდო: 121497

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SB1275TLP

ნაწილი საფონდო: 185257

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SCR543DTL

ნაწილი საფონდო: 174319

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SD1760TLP

ნაწილი საფონდო: 119413

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SB1412TLP

ნაწილი საფონდო: 132960

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SB1580T100

ნაწილი საფონდო: 141608

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SB1182TLR

ნაწილი საფონდო: 127891

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 32V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SC4617TLQ

ნაწილი საფონდო: 110911

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

2SC4505T100Q

ნაწილი საფონდო: 185816

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 10V,

სასურველი