ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

MCR18EZHF4873

MCR18EZHF4873

ნაწილი საფონდო: 3213

წინააღმდეგობა: 487 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF47R5

MCR18EZHF47R5

ნაწილი საფონდო: 3212

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ915

MCR18EZHJ915

ნაწილი საფონდო: 3596

წინააღმდეგობა: 9.1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ913

MCR18EZHJ913

ნაწილი საფონდო: 3562

წინააღმდეგობა: 91 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF14R0

MCR18EZHF14R0

ნაწილი საფონდო: 2995

წინააღმდეგობა: 14 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ182

MCR18EZHJ182

ნაწილი საფონდო: 3501

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF4300

MCR18EZHF4300

ნაწილი საფონდო: 3210

წინააღმდეგობა: 430 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF3572

MCR18EZHF3572

ნაწილი საფონდო: 3202

წინააღმდეგობა: 35.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ113

MCR18EZHJ113

ნაწილი საფონდო: 3401

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1431

MCR18EZHF1431

ნაწილი საფონდო: 4361

წინააღმდეგობა: 1.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1963

MCR18EZHF1963

ნაწილი საფონდო: 3042

წინააღმდეგობა: 196 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF2671

MCR18EZHF2671

ნაწილი საფონდო: 4360

წინააღმდეგობა: 2.67 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ753

MCR18EZHJ753

ნაწილი საფონდო: 3515

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF22R0

MCR18EZHF22R0

ნაწილი საფონდო: 3088

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF3000

MCR18EZHF3000

ნაწილი საფონდო: 3162

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF4021

MCR18EZHF4021

ნაწილი საფონდო: 4342

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ1R8

MCR18EZHJ1R8

ნაწილი საფონდო: 3457

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 150/ +850ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF52R3

MCR18EZHF52R3

ნაწილი საფონდო: 3250

წინააღმდეგობა: 52.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF5232

MCR18EZHF5232

ნაწილი საფონდო: 3239

წინააღმდეგობა: 52.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF2202

MCR18EZHF2202

ნაწილი საფონდო: 3090

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1504

MCR18EZHF1504

ნაწილი საფონდო: 2985

წინააღმდეგობა: 1.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ183

MCR18EZHJ183

ნაწილი საფონდო: 3463

წინააღმდეგობა: 18 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF15R4

MCR18EZHF15R4

ნაწილი საფონდო: 2925

წინააღმდეგობა: 15.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ000

MCR18EZHJ000

ნაწილი საფონდო: 3431

წინააღმდეგობა: 0 Ohms, ტოლერანტობა: Jumper, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film,

სასურველი
MCR18EZHF3003

MCR18EZHF3003

ნაწილი საფონდო: 3082

წინააღმდეგობა: 300 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF14R3

MCR18EZHF14R3

ნაწილი საფონდო: 2902

წინააღმდეგობა: 14.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF2870

MCR18EZHF2870

ნაწილი საფონდო: 3075

წინააღმდეგობა: 287 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF71R5

MCR18EZHF71R5

ნაწილი საფონდო: 3391

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF2373

MCR18EZHF2373

ნაწილი საფონდო: 3063

წინააღმდეგობა: 237 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF3163

MCR18EZHF3163

ნაწილი საფონდო: 3094

წინააღმდეგობა: 316 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ432

MCR18EZHJ432

ნაწილი საფონდო: 3501

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF2700

MCR18EZHF2700

ნაწილი საფონდო: 3088

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF4531

MCR18EZHF4531

ნაწილი საფონდო: 3262

წინააღმდეგობა: 4.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF68R0

MCR18EZHF68R0

ნაწილი საფონდო: 3359

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1911

MCR18EZHF1911

ნაწილი საფონდო: 2987

წინააღმდეგობა: 1.91 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF84R5

MCR18EZHF84R5

ნაწილი საფონდო: 3400

წინააღმდეგობა: 84.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი