ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

TRR18EZPF1002

TRR18EZPF1002

ნაწილი საფონდო: 155330

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF19R6

MCR18EZHF19R6

ნაწილი საფონდო: 3045

წინააღმდეგობა: 19.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1432

MCR18EZHF1432

ნაწილი საფონდო: 2902

წინააღმდეგობა: 14.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHFL3R60

MCR18EZHFL3R60

ნაწილი საფონდო: 3202

წინააღმდეგობა: 3.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ200

MCR18EZHJ200

ნაწილი საფონდო: 3504

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHFL8R20

MCR18EZHFL8R20

ნაწილი საფონდო: 3436

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF2800

MCR18EZHF2800

ნაწილი საფონდო: 3145

წინააღმდეგობა: 280 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHFL3R90

MCR18EZHFL3R90

ნაწილი საფონდო: 3216

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF3242

MCR18EZHF3242

ნაწილი საფონდო: 3134

წინააღმდეგობა: 32.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1692

MCR18EZHF1692

ნაწილი საფონდო: 2997

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF15R8

MCR18EZHF15R8

ნაწილი საფონდო: 2982

წინააღმდეგობა: 15.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF9100

MCR18EZHF9100

ნაწილი საფონდო: 3425

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF53R6

MCR18EZHF53R6

ნაწილი საფონდო: 3303

წინააღმდეგობა: 53.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF97R6

MCR18EZHF97R6

ნაწილი საფონდო: 4341

წინააღმდეგობა: 97.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF3001

MCR18EZHF3001

ნაწილი საფონდო: 3113

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1782

MCR18EZHF1782

ნაწილი საფონდო: 3020

წინააღმდეგობა: 17.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF3241

MCR18EZHF3241

ნაწილი საფონდო: 3141

წინააღმდეგობა: 3.24 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF43R2

MCR18EZHF43R2

ნაწილი საფონდო: 3203

წინააღმდეგობა: 43.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1603

MCR18EZHF1603

ნაწილი საფონდო: 2930

წინააღმდეგობა: 160 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF3921

MCR18EZHF3921

ნაწილი საფონდო: 3194

წინააღმდეგობა: 3.92 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF5230

MCR18EZHF5230

ნაწილი საფონდო: 3292

წინააღმდეგობა: 523 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF1434

MCR18EZHF1434

ნაწილი საფონდო: 2901

წინააღმდეგობა: 1.43 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF27R4

MCR18EZHF27R4

ნაწილი საფონდო: 3091

წინააღმდეგობა: 27.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ2R7

MCR18EZHJ2R7

ნაწილი საფონდო: 3469

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF5760

MCR18EZHF5760

ნაწილი საფონდო: 4382

წინააღმდეგობა: 576 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ395

MCR18EZHJ395

ნაწილი საფონდო: 4368

წინააღმდეგობა: 3.9 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ914

MCR18EZHJ914

ნაწილი საფონდო: 3578

წინააღმდეგობა: 910 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF9091

MCR18EZHF9091

ნაწილი საფონდო: 3426

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF25R5

MCR18EZHF25R5

ნაწილი საფონდო: 3078

წინააღმდეგობა: 25.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF6810

MCR18EZHF6810

ნაწილი საფონდო: 3313

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ562

MCR18EZHJ562

ნაწილი საფონდო: 3576

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ755

MCR18EZHJ755

ნაწილი საფონდო: 3529

წინააღმდეგობა: 7.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF8060

MCR18EZHF8060

ნაწილი საფონდო: 3344

წინააღმდეგობა: 806 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF5602

MCR18EZHF5602

ნაწილი საფონდო: 3229

წინააღმდეგობა: 56 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF9763

MCR18EZHF9763

ნაწილი საფონდო: 3414

წინააღმდეგობა: 976 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ203

MCR18EZHJ203

ნაწილი საფონდო: 3438

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი