ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

MCR006YZPJ432

MCR006YZPJ432

ნაწილი საფონდო: 4262

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPF5100

MCR006YZPF5100

ნაწილი საფონდო: 4186

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPJ362

MCR006YZPJ362

ნაწილი საფონდო: 4177

წინააღმდეგობა: 3.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPJ623

MCR006YZPJ623

ნაწილი საფონდო: 4166

წინააღმდეგობა: 62 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPJ272

MCR006YZPJ272

ნაწილი საფონდო: 4249

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHF4222

MCR10EZHF4222

ნაწილი საფონდო: 4010

წინააღმდეგობა: 42.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPF39R0

MCR006YZPF39R0

ნაწილი საფონდო: 4098

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPF9760

MCR006YZPF9760

ნაწილი საფონდო: 4159

წინააღმდეგობა: 976 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPJ165

MCR006YZPJ165

ნაწილი საფონდო: 4168

წინააღმდეგობა: 1.6 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZPF1330

MCR10EZPF1330

ნაწილი საფონდო: 4448

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPJ150

MCR006YZPJ150

ნაწილი საფონდო: 4230

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPJ624

MCR006YZPJ624

ნაწილი საფონდო: 4248

წინააღმდეგობა: 620 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZPF1053

MCR10EZPF1053

ნაწილი საფონდო: 4454

წინააღმდეგობა: 105 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPF1132

MCR006YZPF1132

ნაწილი საფონდო: 4073

წინააღმდეგობა: 11.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF4872

MCR18EZHF4872

ნაწილი საფონდო: 4493

წინააღმდეგობა: 48.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR01MZSF1003

MCR01MZSF1003

ნაწილი საფონდო: 4344

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPJ100

MCR006YZPJ100

ნაწილი საფონდო: 4304

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPF2323

MCR006YZPF2323

ნაწილი საფონდო: 4128

წინააღმდეგობა: 232 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPJ164

MCR006YZPJ164

ნაწილი საფონდო: 4480

წინააღმდეგობა: 160 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPF49R9

MCR006YZPF49R9

ნაწილი საფონდო: 4135

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR10EZHFL2R21

MCR10EZHFL2R21

ნაწილი საფონდო: 4067

წინააღმდეგობა: 2.21 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR006YZPF1203

MCR006YZPF1203

ნაწილი საფონდო: 4053

წინააღმდეგობა: 120 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.05W, 1/20W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF78R7

MCR18EZHF78R7

ნაწილი საფონდო: 3369

წინააღმდეგობა: 78.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF30R1

MCR18EZHF30R1

ნაწილი საფონდო: 3142

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ334

MCR18EZHJ334

ნაწილი საფონდო: 4374

წინააღმდეგობა: 330 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF2803

MCR18EZHF2803

ნაწილი საფონდო: 3140

წინააღმდეგობა: 280 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF7502

MCR18EZHF7502

ნაწილი საფონდო: 3326

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TRR18EZPF4701

TRR18EZPF4701

ნაწილი საფონდო: 2960

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ390

MCR18EZHJ390

ნაწილი საფონდო: 3559

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF9102

MCR18EZHF9102

ნაწილი საფონდო: 3425

წინააღმდეგობა: 91 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF7153

MCR18EZHF7153

ნაწილი საფონდო: 3320

წინააღმდეგობა: 715 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF8063

MCR18EZHF8063

ნაწილი საფონდო: 3415

წინააღმდეგობა: 806 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF26R7

MCR18EZHF26R7

ნაწილი საფონდო: 3055

წინააღმდეგობა: 26.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF6980

MCR18EZHF6980

ნაწილი საფონდო: 3303

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHJ154

MCR18EZHJ154

ნაწილი საფონდო: 3443

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
MCR18EZHF8253

MCR18EZHF8253

ნაწილი საფონდო: 3347

წინააღმდეგობა: 825 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი