ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 16

DTB113ZSTP

ნაწილი საფონდო: 2227

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 1 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTD133HKT146

ნაწილი საფონდო: 2225

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 3.3 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC114WSATP

ნაწილი საფონდო: 2199

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTA143EKAT246

ნაწილი საფონდო: 3248

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC043ZUBTL

ნაწილი საფონდო: 192262

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC123YKAT146

ნაწილი საფონდო: 134256

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTD113ZCT116

ნაწილი საფონდო: 127533

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 1 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 82 @ 50mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC144TMT2L

ნაწილი საფონდო: 108939

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTA113ZEFRATL

ნაწილი საფონდო: 9943

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, რეზისტორი - ბაზა (R1): 1 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTA144EETL

ნაწილი საფონდო: 130628

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTA143ZMT2L

ნაწილი საფონდო: 132093

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTA143TETL

ნაწილი საფონდო: 182355

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTA123YUAT106

ნაწილი საფონდო: 146406

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC024EEBTL

ნაწილი საფონდო: 129716

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTA114YMFHAT2L

ნაწილი საფონდო: 21630

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTD743XETL

ნაწილი საფონდო: 182736

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC124EETL

ნაწილი საფონდო: 149090

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTA124XCAHZGT116

ნაწილი საფონდო: 9950

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC114WUAT106

ნაწილი საფონდო: 194265

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC114WKAT146

ნაწილი საფონდო: 173647

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC143TCAT116

ნაწილი საფონდო: 103110

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC144TKAT146

ნაწილი საფონდო: 106643

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC044TUBTL

ნაწილი საფონდო: 137517

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTA044TEBTL

ნაწილი საფონდო: 133264

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 60mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC113ZCAT116

ნაწილი საფონდო: 197977

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 1 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC123JU3T106

ნაწილი საფონდო: 9972

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased + Diode, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC143TKAT146

ნაწილი საფონდო: 178727

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTA015EEBTL

ნაწილი საფონდო: 187230

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 100 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 100 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC124EKAT146

ნაწილი საფონდო: 119324

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTB114GCT116

ნაწილი საფონდო: 135501

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC143TMT2L

ნაწილი საფონდო: 113899

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTD123TCHZGT116

ნაწილი საფონდო: 9953

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased + Diode, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC143EUAT106

ნაწილი საფონდო: 196057

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTD143EKT146

ნაწილი საფონდო: 121232

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC643TKT146

ნაწილი საფონდო: 190000

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 820 @ 50mA, 5V,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DTC143ZKAT246

ნაწილი საფონდო: 1983

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სასურველი