დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

სახლი
დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

Rohm Semiconductor

DAP202UT106

ნაწილი საფონდო: 168450

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RFN6BM2DTL

ნაწილი საფონდო: 156279

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

RF2001T2D

ნაწილი საფონდო: 50244

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 930mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

RFN6BM2DFHTL

ნაწილი საფონდო: 4343

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB886YT2R

ნაწილი საფონდო: 182116

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 350mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RBR20BM30AFHTL

ნაწილი საფონდო: 3421

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 510mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB481Y-40T2R

ნაწილი საფონდო: 135144

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB481YT2R

ნაწილი საფონდო: 104659

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 430mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB098BM100FHTL

ნაწილი საფონდო: 3415

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 770mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB876WTL

ნაწილი საფონდო: 162586

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 350mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB851YT2R

ნაწილი საფონდო: 113270

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 460mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DAP222WMTL

ნაწილი საფონდო: 109608

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB095BM-30TL

ნაწილი საფონდო: 115773

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 425mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB481KFSTL

ნაწილი საფონდო: 196656

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB480Y-90FHT2R

ნაწილი საფონდო: 4342

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 690mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB557WTL

ნაწილი საფონდო: 101406

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 490mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB205T-90

ნაწილი საფონდო: 100775

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 7.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 780mV @ 7.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

DAN202UMTL

ნაწილი საფონდო: 168078

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB715WTL

ნაწილი საფონდო: 157244

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 370mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DAP202UMFHTL

ნაწილი საფონდო: 3388

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB095BM-90FHTL

ნაწილი საფონდო: 3425

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

IMP11T110

ნაწილი საფონდო: 161254

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

IMN11T110

ნაწილი საფონდო: 140672

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB238T100

ნაწილი საფონდო: 55932

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 860mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB471ET148

ნაწილი საფონდო: 112675

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

DAN222MT2L

ნაწილი საფონდო: 176527

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RBQ10BM45ATL

ნაწილი საფონდო: 69162

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB085BM-60TL

ნაწილი საფონდო: 115508

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB085BM-90TL

ნაწილი საფონდო: 115557

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

RBQ20BM65AFHTL

ნაწილი საფონდო: 3362

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 65V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 630mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

DAN217UT106

ნაწილი საფონდო: 106804

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

UMR11NTR

ნაწილი საფონდო: 129667

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair CA + CC, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB861YT2R

ნაწილი საფონდო: 185071

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 5V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 290mV @ 1mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB088BM100FHTL

ნაწილი საფონდო: 3410

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 870mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

RB088BM150FHTL

ნაწილი საფონდო: 3371

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Rohm Semiconductor

DA227YT2R

ნაწილი საფონდო: 135640

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი

224

«
1
2
3
4
5
6
7
»