შასის მთის წინააღმდეგობები

FNR2E-0R05F1

FNR2E-0R05F1

ნაწილი საფონდო: 3841

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
RSA-75-100-NB

RSA-75-100-NB

ნაწილი საფონდო: 213

წინააღმდეგობა: 1.333 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
FNR2E-0R075F1

FNR2E-0R075F1

ნაწილი საფონდო: 3853

წინააღმდეგობა: 75 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
RSA-30-100-NB

RSA-30-100-NB

ნაწილი საფონდო: 203

წინააღმდეგობა: 3.333 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
FNR2E-0R3F1

FNR2E-0R3F1

ნაწილი საფონდო: 3875

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
RSA-100-50

RSA-100-50

ნაწილი საფონდო: 3929

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
RSA-10-50

RSA-10-50

ნაწილი საფონდო: 3985

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
UAL50-16RF8

UAL50-16RF8

ნაწილი საფონდო: 18886

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
KHR4-T227 2000 OHM 5%

KHR4-T227 2000 OHM 5%

ნაწილი საფონდო: 6550

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
UAL50-2K5F8

UAL50-2K5F8

ნაწილი საფონდო: 18921

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-20KF8

UAL50-20KF8

ნაწილი საფონდო: 13628

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-0R2F8

UAL50-0R2F8

ნაწილი საფონდო: 15137

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-8RF8

UAL50-8RF8

ნაწილი საფონდო: 18866

წინააღმდეგობა: 8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-200RF8

UAL50-200RF8

ნაწილი საფონდო: 18881

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-2RF8

UAL50-2RF8

ნაწილი საფონდო: 18852

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-30RF8

UAL50-30RF8

ნაწილი საფონდო: 18855

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-0R25F8

UAL50-0R25F8

ნაწილი საფონდო: 15189

წინააღმდეგობა: 250 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-330RF8

UAL50-330RF8

ნაწილი საფონდო: 18855

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-1RF8

UAL50-1RF8

ნაწილი საფონდო: 18832

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-100KF8

UAL50-100KF8

ნაწილი საფონდო: 13644

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-25RF8

UAL50-25RF8

ნაწილი საფონდო: 18856

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL25-0R1F8

UAL25-0R1F8

ნაწილი საფონდო: 16112

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-15RF8

UAL50-15RF8

ნაწილი საფონდო: 18863

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-40RF8

UAL50-40RF8

ნაწილი საფონდო: 18911

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-0R1F8

UAL50-0R1F8

ნაწილი საფონდო: 15134

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-50RF8

UAL50-50RF8

ნაწილი საფონდო: 18837

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-50KF8

UAL50-50KF8

ნაწილი საფონდო: 13657

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-2R5F8

UAL50-2R5F8

ნაწილი საფონდო: 18843

წინააღმდეგობა: 2.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-75RF8

UAL50-75RF8

ნაწილი საფონდო: 18920

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL5-0R1F8

UAL5-0R1F8

ნაწილი საფონდო: 18332

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 7.5W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-6RF8

UAL50-6RF8

ნაწილი საფონდო: 18878

წინააღმდეგობა: 6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-500RF8

UAL50-500RF8

ნაწილი საფონდო: 18827

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-10RF8

UAL50-10RF8

ნაწილი საფონდო: 18859

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL50-1R5F8

UAL50-1R5F8

ნაწილი საფონდო: 18908

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL25-0R5F8

UAL25-0R5F8

ნაწილი საფონდო: 16170

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
UAL5-0R5F8

UAL5-0R5F8

ნაწილი საფონდო: 18405

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 7.5W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი