შასის მთის წინააღმდეგობები

RSC-1000-100

RSC-1000-100

ნაწილი საფონდო: 958

წინააღმდეგობა: 100 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
RSI-1200-100

RSI-1200-100

ნაწილი საფონდო: 523

წინააღმდეგობა: 83 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSI-800-100

RSI-800-100

ნაწილი საფონდო: 902

წინააღმდეგობა: 125 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSI-800-50

RSI-800-50

ნაწილი საფონდო: 968

წინააღმდეგობა: 62.5 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSI-1200-50

RSI-1200-50

ნაწილი საფონდო: 574

წინააღმდეგობა: 42 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
PFU1000-50KJ1

PFU1000-50KJ1

ნაწილი საფონდო: 629

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

სასურველი
RSI-1000-50

RSI-1000-50

ნაწილი საფონდო: 708

წინააღმდეგობა: 50 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSI-400-100

RSI-400-100

ნაწილი საფონდო: 1173

წინააღმდეგობა: 250 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSI-600-100

RSI-600-100

ნაწილი საფონდო: 961

წინააღმდეგობა: 167 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSI-400-50

RSI-400-50

ნაწილი საფონდო: 1393

წინააღმდეგობა: 125 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSI-300-100

RSI-300-100

ნაწილი საფონდო: 1430

წინააღმდეგობა: 333 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-600-100

RSH-600-100

ნაწილი საფონდო: 1294

წინააღმდეგობა: 167 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-100-100

RSH-100-100

ნაწილი საფონდო: 1613

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSI-300-50

RSI-300-50

ნაწილი საფონდო: 1676

წინააღმდეგობა: 167 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-400-100

RSH-400-100

ნაწილი საფონდო: 1660

წინააღმდეგობა: 250 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-300-100

RSH-300-100

ნაწილი საფონდო: 1634

წინააღმდეგობა: 333 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-250-100

RSH-250-100

ნაწილი საფონდო: 1623

წინააღმდეგობა: 400 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSN-300-100B

RSN-300-100B

ნაწილი საფონდო: 1637

წინააღმდეგობა: 333 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-150-100

RSH-150-100

ნაწილი საფონდო: 1653

წინააღმდეგობა: 667 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-175-100

RSH-175-100

ნაწილი საფონდო: 1653

წინააღმდეგობა: 286 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-200-100

RSH-200-100

ნაწილი საფონდო: 1618

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-375-100

RSH-375-100

ნაწილი საფონდო: 1617

წინააღმდეგობა: 267 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSN-400-100B

RSN-400-100B

ნაწილი საფონდო: 1714

წინააღმდეგობა: 250 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-500-100

RSH-500-100

ნაწილი საფონდო: 1603

წინააღმდეგობა: 200 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSN-50-100B

RSN-50-100B

ნაწილი საფონდო: 1908

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSN-200-50B

RSN-200-50B

ნაწილი საფონდო: 1749

წინააღმდეგობა: 250 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSN-10-100B

RSN-10-100B

ნაწილი საფონდო: 1960

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSN-500-50B

RSN-500-50B

ნაწილი საფონდო: 1822

წინააღმდეგობა: 100 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSN-150-100B

RSN-150-100B

ნაწილი საფონდო: 1952

წინააღმდეგობა: 667 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSN-5-100B

RSN-5-100B

ნაწილი საფონდო: 1977

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-600-50

RSH-600-50

ნაწილი საფონდო: 1760

წინააღმდეგობა: 83 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSN-100-100B

RSN-100-100B

ნაწილი საფონდო: 1979

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RCS2-0R0002F1

RCS2-0R0002F1

ნაწილი საფონდო: 2267

წინააღმდეგობა: 200 µOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

სასურველი
RCS3-0R0003F1

RCS3-0R0003F1

ნაწილი საფონდო: 2169

წინააღმდეგობა: 300 µOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

სასურველი
RCS4-0R0004F1

RCS4-0R0004F1

ნაწილი საფონდო: 2121

წინააღმდეგობა: 400 µOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

სასურველი
RSH-500-50

RSH-500-50

ნაწილი საფონდო: 2200

წინააღმდეგობა: 100 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი