შასის მთის წინააღმდეგობები

RSH-75-50

RSH-75-50

ნაწილი საფონდო: 2555

წინააღმდეგობა: 667 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-375-50

RSH-375-50

ნაწილი საფონდო: 2219

წინააღმდეგობა: 133 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSN-5-50B

RSN-5-50B

ნაწილი საფონდო: 2342

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSN-20-50B

RSN-20-50B

ნაწილი საფონდო: 2358

წინააღმდეგობა: 2.5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-50-50

RSH-50-50

ნაწილი საფონდო: 2796

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-200-50

RSH-200-50

ნაწილი საფონდო: 2218

წინააღმდეგობა: 250 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-75-100

RSH-75-100

ნაწილი საფონდო: 2546

წინააღმდეგობა: 1.333 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-20-50

RSH-20-50

ნაწილი საფონდო: 2769

წინააღმდეგობა: 2.5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSN-100-50B

RSN-100-50B

ნაწილი საფონდო: 2330

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-50-100

RSH-50-100

ნაწილი საფონდო: 2501

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-250-50

RSH-250-50

ნაწილი საფონდო: 2200

წინააღმდეგობა: 200 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-175-50

RSH-175-50

ნაწილი საფონდო: 2277

წინააღმდეგობა: 286 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-15-50

RSH-15-50

ნაწილი საფონდო: 2773

წინააღმდეგობა: 3.333 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-300-50

RSH-300-50

ნაწილი საფონდო: 2231

წინააღმდეგობა: 167 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSB-200-50

RSB-200-50

ნაწილი საფონდო: 2969

წინააღმდეგობა: 250 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
RSN-50-50B

RSN-50-50B

ნაწილი საფონდო: 2340

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 2.5W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSB-500-100

RSB-500-100

ნაწილი საფონდო: 2415

წინააღმდეგობა: 200 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
RSH-100-50

RSH-100-50

ნაწილი საფონდო: 2562

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
KHR4-T227 6.0 OHM 5%

KHR4-T227 6.0 OHM 5%

ნაწილი საფონდო: 8571

წინააღმდეგობა: 6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
RCS1-0R0001F1

RCS1-0R0001F1

ნაწილი საფონდო: 2348

წინააღმდეგობა: 100 µOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

სასურველი
RSN-150-50B

RSN-150-50B

ნაწილი საფონდო: 2327

წინააღმდეგობა: 333 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 7.5W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSB-500-50

RSB-500-50

ნაწილი საფონდო: 2961

წინააღმდეგობა: 100 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
RSA-30-50

RSA-30-50

ნაწილი საფონდო: 2417

წინააღმდეგობა: 1.667 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
KHR4-T227 1.0 OHM 5%

KHR4-T227 1.0 OHM 5%

ნაწილი საფონდო: 2323

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
RSH-150-50

RSH-150-50

ნაწილი საფონდო: 2258

წინააღმდეგობა: 333 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSB-300-50

RSB-300-50

ნაწილი საფონდო: 2935

წინააღმდეგობა: 166.7 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
KHN2-T227 20 OHM 5% 100PPM

KHN2-T227 20 OHM 5% 100PPM

ნაწილი საფონდო: 8571

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
RSH-125-50

RSH-125-50

ნაწილი საფონდო: 2506

წინააღმდეგობა: 400 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSH-400-50

RSH-400-50

ნაწილი საფონდო: 2275

წინააღმდეგობა: 125 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 30°C ~ 70°C,

სასურველი
RSB-200-100

RSB-200-100

ნაწილი საფონდო: 2405

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
FNR2E-0R25F1

FNR2E-0R25F1

ნაწილი საფონდო: 3860

წინააღმდეგობა: 250 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
PF2272-20RJ1

PF2272-20RJ1

ნაწილი საფონდო: 3389

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
PF2272-200RJ1

PF2272-200RJ1

ნაწილი საფონდო: 3370

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
PF2272-1RJ1

PF2272-1RJ1

ნაწილი საფონდო: 3337

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
PF2272-0R1J1

PF2272-0R1J1

ნაწილი საფონდო: 3362

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
FNR2E-75RF1

FNR2E-75RF1

ნაწილი საფონდო: 3222

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი