შასის მთის წინააღმდეგობები

FNR2E-33RF1

FNR2E-33RF1

ნაწილი საფონდო: 3228

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
PF2272-100RJ1

PF2272-100RJ1

ნაწილი საფონდო: 3342

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
RSA-10-100

RSA-10-100

ნაწილი საფონდო: 3346

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
RSB-200-50-NB

RSB-200-50-NB

ნაწილი საფონდო: 184

წინააღმდეგობა: 250 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
PF2272-2RJ1

PF2272-2RJ1

ნაწილი საფონდო: 3353

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
RSB-500-50-NB

RSB-500-50-NB

ნაწილი საფონდო: 169

წინააღმდეგობა: 100 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
RSA-100-100

RSA-100-100

ნაწილი საფონდო: 3386

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
PF2272-1KJ1

PF2272-1KJ1

ნაწილი საფონდო: 3379

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
RSA-20-100

RSA-20-100

ნაწილი საფონდო: 3398

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
FNR2E-10RF1

FNR2E-10RF1

ნაწილი საფონდო: 3245

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
PF2272-50RJ1

PF2272-50RJ1

ნაწილი საფონდო: 3402

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
RSA-50-100

RSA-50-100

ნაწილი საფონდო: 3346

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
FNR2E-0R15F1

FNR2E-0R15F1

ნაწილი საფონდო: 3831

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
PF2272-5RJ1

PF2272-5RJ1

ნაწილი საფონდო: 3342

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
PF2272-500RJ1

PF2272-500RJ1

ნაწილი საფონდო: 3338

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
FNR2E-100RF1

FNR2E-100RF1

ნაწილი საფონდო: 3204

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
PF2272-0R5J1

PF2272-0R5J1

ნაწილი საფონდო: 3376

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
PF2272-10RJ1

PF2272-10RJ1

ნაწილი საფონდო: 3369

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
FNR2E-50RF1

FNR2E-50RF1

ნაწილი საფონდო: 3268

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
PF2272-0R2J1

PF2272-0R2J1

ნაწილი საფონდო: 3386

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
FNR2E-0R025F1

FNR2E-0R025F1

ნაწილი საფონდო: 3861

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
FNR2E-0R5F1

FNR2E-0R5F1

ნაწილი საფონდო: 3835

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
RSA-20-100-NB

RSA-20-100-NB

ნაწილი საფონდო: 229

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
FNR2E-5RF1

FNR2E-5RF1

ნაწილი საფონდო: 3856

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
FNR2E-0R02F1

FNR2E-0R02F1

ნაწილი საფონდო: 3832

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±40ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
FNR2E-0R015F1

FNR2E-0R015F1

ნაწილი საფონდო: 3842

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±55ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
FNR2E-1RF1

FNR2E-1RF1

ნაწილი საფონდო: 3880

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
RSA-100-100-NB

RSA-100-100-NB

ნაწილი საფონდო: 380

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
RSA-20-50

RSA-20-50

ნაწილი საფონდო: 3940

წინააღმდეგობა: 2.5 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
FNR2E-0R01F1

FNR2E-0R01F1

ნაწილი საფონდო: 3892

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
FNR2E-3RF1

FNR2E-3RF1

ნაწილი საფონდო: 3887

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
FNR2E-0R1F1

FNR2E-0R1F1

ნაწილი საფონდო: 3843

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
RSA-5-50

RSA-5-50

ნაწილი საფონდო: 3924

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
FNR2E-0R36F1

FNR2E-0R36F1

ნაწილი საფონდო: 3887

წინააღმდეგობა: 360 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი
RSA-50-50

RSA-50-50

ნაწილი საფონდო: 3948

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 2.5W, კომპოზიცია: Metal Element, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 60°C,

სასურველი
FNR2E-0R2F1

FNR2E-0R2F1

ნაწილი საფონდო: 3801

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Metal Foil, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 130°C,

სასურველი