ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

PFS35-18KF1

PFS35-18KF1

ნაწილი საფონდო: 40209

წინააღმდეგობა: 18 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
PFS35-75RF1

PFS35-75RF1

ნაწილი საფონდო: 40201

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
PFS35-8R2F1

PFS35-8R2F1

ნაწილი საფონდო: 40167

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFS35-7K5F1

PFS35-7K5F1

ნაწილი საფონდო: 40128

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
PFS35-2R4F1

PFS35-2R4F1

ნაწილი საფონდო: 40190

წინააღმდეგობა: 2.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFS35-0R22F1

PFS35-0R22F1

ნაწილი საფონდო: 38300

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS0805-330MK8

HVS0805-330MK8

ნაწილი საფონდო: 38106

წინააღმდეგობა: 330 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
PFS35-0R24F1

PFS35-0R24F1

ნაწილი საფონდო: 40202

წინააღმდეგობა: 240 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFS35-2R7F1

PFS35-2R7F1

ნაწილი საფონდო: 40200

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFS35-110RF1

PFS35-110RF1

ნაწილი საფონდო: 40118

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
PFS35-1R3F1

PFS35-1R3F1

ნაწილი საფონდო: 40163

წინააღმდეგობა: 1.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFS35-0R75F1

PFS35-0R75F1

ნაწილი საფონდო: 40212

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFS35-620RF1

PFS35-620RF1

ნაწილი საფონდო: 40141

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
PFS35-3R6F1

PFS35-3R6F1

ნაწილი საფონდო: 40186

წინააღმდეგობა: 3.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFS35-560RF1

PFS35-560RF1

ნაწილი საფონდო: 40115

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
PFS35-0R03J1

PFS35-0R03J1

ნაწილი საფონდო: 40203

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
PFS35-1R1F1

PFS35-1R1F1

ნაწილი საფონდო: 40202

წინააღმდეგობა: 1.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFS35-1K1F1

PFS35-1K1F1

ნაწილი საფონდო: 40156

წინააღმდეგობა: 1.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
PFS35-0R11F1

PFS35-0R11F1

ნაწილი საფონდო: 40196

წინააღმდეგობა: 110 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFS35-0R13F1

PFS35-0R13F1

ნაწილი საფონდო: 40162

წინააღმდეგობა: 130 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFS35-1K3F1

PFS35-1K3F1

ნაწილი საფონდო: 40116

წინააღმდეგობა: 1.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
HVS2512-470KJ8

HVS2512-470KJ8

ნაწილი საფონდო: 40435

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHR2512H-470KJ8

CHR2512H-470KJ8

ნაწილი საფონდო: 39129

წინააღმდეგობა: 470 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
CHR2512H-100KJ8

CHR2512H-100KJ8

ნაწილი საფონდო: 39094

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS2512-100KJ8

HVS2512-100KJ8

ნაწილი საფონდო: 40369

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFS35-0R47F1

PFS35-0R47F1

ნაწილი საფონდო: 40140

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS1206-150MK8

HVS1206-150MK8

ნაწილი საფონდო: 42875

წინააღმდეგობა: 150 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
HVC0805H-10MJ8

HVC0805H-10MJ8

ნაწილი საფონდო: 41411

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS1206-220MK8

HVS1206-220MK8

ნაწილი საფონდო: 42873

წინააღმდეგობა: 220 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
HVS1206-330MK8

HVS1206-330MK8

ნაწილი საფონდო: 42953

წინააღმდეგობა: 330 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
HVC0805H-33MJ8

HVC0805H-33MJ8

ნაწილი საფონდო: 41498

წინააღმდეგობა: 33 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS1206-1GK1

HVS1206-1GK1

ნაწილი საფონდო: 42947

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
HVS1206-680MK8

HVS1206-680MK8

ნაწილი საფონდო: 42963

წინააღმდეგობა: 680 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
HVS1206-470MK1

HVS1206-470MK1

ნაწილი საფონდო: 42951

წინააღმდეგობა: 470 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
HVC0805H-100MJ8

HVC0805H-100MJ8

ნაწილი საფონდო: 41449

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC1206H-10MJ8

HVC1206H-10MJ8

ნაწილი საფონდო: 42846

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი