ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

PFC10-24KF1

PFC10-24KF1

ნაწილი საფონდო: 47335

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-39KF1

PFC10-39KF1

ნაწილი საფონდო: 47410

წინააღმდეგობა: 39 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-12KF1

PFC10-12KF1

ნაწილი საფონდო: 47346

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-13KF1

PFC10-13KF1

ნაწილი საფონდო: 47319

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-1R8F1

PFC10-1R8F1

ნაწილი საფონდო: 47328

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-0R47F1

PFC10-0R47F1

ნაწილი საფონდო: 47401

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-1R5F1

PFC10-1R5F1

ნაწილი საფონდო: 47409

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-0R75F1

PFC10-0R75F1

ნაწილი საფონდო: 47387

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-12RF1

PFC10-12RF1

ნაწილი საფონდო: 47400

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-390RF1

PFC10-390RF1

ნაწილი საფონდო: 47395

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-4K3F1

PFC10-4K3F1

ნაწილი საფონდო: 47321

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-270RF1

PFC10-270RF1

ნაწილი საფონდო: 47376

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-1R3F1

PFC10-1R3F1

ნაწილი საფონდო: 47385

წინააღმდეგობა: 1.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-9R1F1

PFC10-9R1F1

ნაწილი საფონდო: 47403

წინააღმდეგობა: 9.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-0R56F1

PFC10-0R56F1

ნაწილი საფონდო: 47411

წინააღმდეგობა: 560 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-1K3F1

PFC10-1K3F1

ნაწილი საფონდო: 47409

წინააღმდეგობა: 1.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-910RF1

PFC10-910RF1

ნაწილი საფონდო: 47354

წინააღმდეგობა: 910 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-5R6F1

PFC10-5R6F1

ნაწილი საფონდო: 47366

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-0R82F1

PFC10-0R82F1

ნაწილი საფონდო: 47368

წინააღმდეგობა: 820 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-0R2F1

PFC10-0R2F1

ნაწილი საფონდო: 47384

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-0R1F1

PFC10-0R1F1

ნაწილი საფონდო: 47382

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-20KF1

PFC10-20KF1

ნაწილი საფონდო: 47402

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-0R3F1

PFC10-0R3F1

ნაწილი საფონდო: 47348

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-0R5F1

PFC10-0R5F1

ნაწილი საფონდო: 47336

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-43RF1

PFC10-43RF1

ნაწილი საფონდო: 47352

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-18RF1

PFC10-18RF1

ნაწილი საფონდო: 47322

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-0R39F1

PFC10-0R39F1

ნაწილი საფონდო: 47355

წინააღმდეგობა: 390 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-240RF1

PFC10-240RF1

ნაწილი საფონდო: 47319

წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-130RF1

PFC10-130RF1

ნაწილი საფონდო: 47412

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-47RF1

PFC10-47RF1

ნაწილი საფონდო: 47404

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-10RF1

PFC10-10RF1

ნაწილი საფონდო: 47345

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-620RF1

PFC10-620RF1

ნაწილი საფონდო: 47385

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-91RF1

PFC10-91RF1

ნაწილი საფონდო: 47341

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-3R9F1

PFC10-3R9F1

ნაწილი საფონდო: 47384

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC1206H-100MJ8

HVC1206H-100MJ8

ნაწილი საფონდო: 42943

წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
PFC10-13RF1

PFC10-13RF1

ნაწილი საფონდო: 47366

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი