ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

FPS2B-0R2F1

FPS2B-0R2F1

ნაწილი საფონდო: 13043

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FPS2B-0R3F1

FPS2B-0R3F1

ნაწილი საფონდო: 13066

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FPS2B-0R015F1

FPS2B-0R015F1

ნაწილი საფონდო: 12978

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
FPS2B-0R36F1

FPS2B-0R36F1

ნაწილი საფონდო: 12981

წინააღმდეგობა: 360 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FPS2B-0R25F1

FPS2B-0R25F1

ნაწილი საფონდო: 13046

წინააღმდეგობა: 250 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FPS2B-1RF1

FPS2B-1RF1

ნაწილი საფონდო: 13052

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
FPS2B-0R01F1

FPS2B-0R01F1

ნაწილი საფონდო: 12980

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
FPS2B-0R025F1

FPS2B-0R025F1

ნაწილი საფონდო: 13066

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
FPS2B-0R05F1

FPS2B-0R05F1

ნაწილი საფონდო: 13054

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1.5W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS0805-100GL8

HVS0805-100GL8

ნაწილი საფონდო: 14347

წინააღმდეგობა: 100 GOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1000ppm/°C,

სასურველი
HVS1206-100GL8

HVS1206-100GL8

ნაწილი საფონდო: 14385

წინააღმდეგობა: 100 GOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1000ppm/°C,

სასურველი
HVS2512-470MK8

HVS2512-470MK8

ნაწილი საფონდო: 17252

წინააღმდეგობა: 470 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-5RF1

NPS2T-5RF1

ნაწილი საფონდო: 17304

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS2512-10KL8

HVS2512-10KL8

ნაწილი საფონდო: 16229

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS2512-220MK8

HVS2512-220MK8

ნაწილი საფონდო: 17220

წინააღმდეგობა: 220 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-500RF1

NPS2T-500RF1

ნაწილი საფონდო: 19541

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-1RF1

NPS2T-1RF1

ნაწილი საფონდო: 17789

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-25RF1

NPS2T-25RF1

ნაწილი საფონდო: 19508

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-10RF1

NPS2T-10RF1

ნაწილი საფონდო: 19514

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-100RF1

NPS2T-100RF1

ნაწილი საფონდო: 19477

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS0805-30GL8

HVS0805-30GL8

ნაწილი საფონდო: 19158

წინააღმდეგობა: 30 GOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1000ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-250RF1

NPS2T-250RF1

ნაწილი საფონდო: 20015

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-2KF1

NPS2T-2KF1

ნაწილი საფონდო: 19956

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-5KF1

NPS2T-5KF1

ნაწილი საფონდო: 19981

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS0805-10GL8

HVS0805-10GL8

ნაწილი საფონდო: 22987

წინააღმდეგობა: 10 GOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-10KF1

NPS2T-10KF1

ნაწილი საფონდო: 19947

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-1KF1

NPS2T-1KF1

ნაწილი საფონდო: 19930

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-1K5F1

NPS2T-1K5F1

ნაწილი საფონდო: 20022

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-7K5F1

NPS2T-7K5F1

ნაწილი საფონდო: 19979

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-2K5F1

NPS2T-2K5F1

ნაწილი საფონდო: 20015

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS2512-1GK8

HVS2512-1GK8

ნაწილი საფონდო: 20183

წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS2512-680MK8

HVS2512-680MK8

ნაწილი საფონდო: 20191

წინააღმდეგობა: 680 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-750RF1

NPS2T-750RF1

ნაწილი საფონდო: 19937

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
NPS2T-50RF1

NPS2T-50RF1

ნაწილი საფონდო: 19996

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVC2512H-330MK8

HVC2512H-330MK8

ნაწილი საფონდო: 21489

წინააღმდეგობა: 330 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HVS1206-30GL8

HVS1206-30GL8

ნაწილი საფონდო: 21614

წინააღმდეგობა: 30 GOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±1000ppm/°C,

სასურველი