წინააღმდეგობა: 33 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 100 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 10 GOhms, ტოლერანტობა: ±20%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 1 GOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 150 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 680 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 330 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 330 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 22 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 68 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 330 MOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 47 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 15 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: High Voltage, Non-Magnetic, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 6.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 9.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,
წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 35W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Current Sense, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,
