ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-2HEB1131X

ERA-2HEB1131X

ნაწილი საფონდო: 152661

წინააღმდეგობა: 1.13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC88R7X

ERA-2HEC88R7X

ნაწილი საფონდო: 196459

წინააღმდეგობა: 88.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC4990X

ERA-2HEC4990X

ნაწილი საფონდო: 146306

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC6200X

ERA-2HEC6200X

ნაწილი საფონდო: 141431

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC6650X

ERA-2HEC6650X

ნაწილი საფონდო: 148805

წინააღმდეგობა: 665 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC3571X

ERA-2HEC3571X

ნაწილი საფონდო: 176362

წინააღმდეგობა: 3.57 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB8200X

ERA-2HEB8200X

ნაწილი საფონდო: 102265

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB6200X

ERA-2HEB6200X

ნაწილი საფონდო: 155385

წინააღმდეგობა: 620 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB6341X

ERA-2HEB6341X

ნაწილი საფონდო: 176565

წინააღმდეგობა: 6.34 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC3921X

ERA-2HEC3921X

ნაწილი საფონდო: 119863

წინააღმდეგობა: 3.92 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC3651X

ERA-2HEC3651X

ნაწილი საფონდო: 107072

წინააღმდეგობა: 3.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC52R3X

ERA-2HEC52R3X

ნაწილი საფონდო: 110761

წინააღმდეგობა: 52.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC3650X

ERA-2HEC3650X

ნაწილი საფონდო: 134468

წინააღმდეგობა: 365 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC2260X

ERA-2HEC2260X

ნაწილი საფონდო: 113329

წინააღმდეგობა: 226 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB8250X

ERA-2HEB8250X

ნაწილი საფონდო: 126973

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1331X

ERA-2HEB1331X

ნაწილი საფონდო: 134818

წინააღმდეგობა: 1.33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1580X

ERA-2HEC1580X

ნაწილი საფონდო: 129400

წინააღმდეგობა: 158 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC2670X

ERA-2HEC2670X

ნაწილი საფონდო: 191809

წინააღმდეგობა: 267 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB49R9X

ERA-2HEB49R9X

ნაწილი საფონდო: 169158

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD24R0X

ERA-2HHD24R0X

ნაწილი საფონდო: 111282

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB2100X

ERA-2HEB2100X

ნაწილი საფონდო: 112568

წინააღმდეგობა: 210 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC63R4X

ERA-2HEC63R4X

ნაწილი საფონდო: 118281

წინააღმდეგობა: 63.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP4MF9M0U

ERJ-MP4MF9M0U

ნაწილი საფონდო: 137918

წინააღმდეგობა: 9 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1500X

ERA-2HEC1500X

ნაწილი საფონდო: 136713

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB5230X

ERA-2HEB5230X

ნაწილი საფონდო: 158827

წინააღმდეგობა: 523 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1052X

ERA-2HEC1052X

ნაწილი საფონდო: 146630

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1180X

ERA-2HEB1180X

ნაწილი საფონდო: 156782

წინააღმდეგობა: 118 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1600X

ERA-2HEB1600X

ნაწილი საფონდო: 131611

წინააღმდეგობა: 160 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1001X

ERA-2HEC1001X

ნაწილი საფონდო: 135487

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC6811X

ERA-2HEC6811X

ნაწილი საფონდო: 133431

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB5491X

ERA-2HEB5491X

ნაწილი საფონდო: 153331

წინააღმდეგობა: 5.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC5761X

ERA-2HEC5761X

ნაწილი საფონდო: 126129

წინააღმდეგობა: 5.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC6980X

ERA-2HEC6980X

ნაწილი საფონდო: 127593

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC54R9X

ERA-2HEC54R9X

ნაწილი საფონდო: 140169

წინააღმდეგობა: 54.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB2611X

ERA-2HEB2611X

ნაწილი საფონდო: 110138

წინააღმდეგობა: 2.61 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB7680X

ERA-2HEB7680X

ნაწილი საფონდო: 143365

წინააღმდეგობა: 768 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი