ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-2HEB1152X

ERA-2HEB1152X

ნაწილი საფონდო: 126468

წინააღმდეგობა: 11.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1650X

ERA-2HEC1650X

ნაწილი საფონდო: 126302

წინააღმდეგობა: 165 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD30R1X

ERA-2HHD30R1X

ნაწილი საფონდო: 144471

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB3320X

ERA-2HEB3320X

ნაწილი საფონდო: 128379

წინააღმდეგობა: 332 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1820X

ERA-2HEC1820X

ნაწილი საფონდო: 128567

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1071X

ERA-2HEC1071X

ნაწილი საფონდო: 162780

წინააღმდეგობა: 1.07 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1300X

ERA-2HEC1300X

ნაწილი საფონდო: 193855

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1822X

ERA-2HEB1822X

ნაწილი საფონდო: 102923

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB3900X

ERA-2HEB3900X

ნაწილი საფონდო: 119399

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC7321X

ERA-2HEC7321X

ნაწილი საფონდო: 143219

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC71R5X

ERA-2HRC71R5X

ნაწილი საფონდო: 171386

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP3PF10MU

ERJ-MP3PF10MU

ნაწილი საფონდო: 163293

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1961X

ERA-2HEC1961X

ნაწილი საფონდო: 197768

წინააღმდეგობა: 1.96 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD42R2X

ERA-2HHD42R2X

ნაწილი საფონდო: 150679

წინააღმდეგობა: 42.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC5601X

ERA-2HEC5601X

ნაწილი საფონდო: 194247

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB3830X

ERA-2HEB3830X

ნაწილი საფონდო: 155791

წინააღმდეგობა: 383 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB1051X

ERA-2HEB1051X

ნაწილი საფონდო: 147150

წინააღმდეგობა: 1.05 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB2002X

ERA-2HEB2002X

ნაწილი საფონდო: 166638

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB7681X

ERA-2HEB7681X

ნაწილი საფონდო: 108995

წინააღმდეგობა: 7.68 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC3321X

ERA-2HEC3321X

ნაწილი საფონდო: 150077

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC5110X

ERA-2HEC5110X

ნაწილი საფონდო: 102645

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB2371X

ERA-2HEB2371X

ნაწილი საფონდო: 133380

წინააღმდეგობა: 2.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB6190X

ERA-2HEB6190X

ნაწილი საფონდო: 159992

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC2871X

ERA-2HEC2871X

ნაწილი საფონდო: 102230

წინააღმდეგობა: 2.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC8060X

ERA-2HEC8060X

ნაწილი საფონდო: 164799

წინააღმდეგობა: 806 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC90R9X

ERA-2HEC90R9X

ნაწილი საფონდო: 161131

წინააღმდეგობა: 90.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB76R8X

ERA-2HEB76R8X

ნაწილი საფონდო: 117725

წინააღმდეგობა: 76.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB3740X

ERA-2HEB3740X

ნაწილი საფონდო: 167631

წინააღმდეგობა: 374 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD30R0X

ERA-2HHD30R0X

ნაწილი საფონდო: 161150

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB7321X

ERA-2HEB7321X

ნაწილი საფონდო: 192147

წინააღმდეგობა: 7.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HRC56R2X

ERA-2HRC56R2X

ნაწილი საფონდო: 118627

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
ERJ-MP2KF50MU

ERJ-MP2KF50MU

ნაწილი საფონდო: 189594

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC1582X

ERA-2HEC1582X

ნაწილი საფონდო: 136609

წინააღმდეგობა: 15.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HHD39R0X

ERA-2HHD39R0X

ნაწილი საფონდო: 136960

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEC3900X

ERA-2HEC3900X

ნაწილი საფონდო: 134754

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-2HEB4121X

ERA-2HEB4121X

ნაწილი საფონდო: 173901

წინააღმდეგობა: 4.12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი