ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-6EEB3012V

ERA-6EEB3012V

ნაწილი საფონდო: 3026

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB6802V

ERA-6EEB6802V

ნაწილი საფონდო: 146

წინააღმდეგობა: 68 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YHD100V

ERA-6YHD100V

ნაწილი საფონდო: 3086

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB9762V

ERA-6EEB9762V

ნაწილი საფონდო: 199

წინააღმდეგობა: 97.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB5360V

ERA-3EEB5360V

ნაწილი საფონდო: 3001

წინააღმდეგობა: 536 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED302Z

ERA-3YED302Z

ნაწილი საფონდო: 9557

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB2371V

ERA-6EEB2371V

ნაწილი საფონდო: 9847

წინააღმდეგობა: 2.37 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB5230V

ERA-6EEB5230V

ნაწილი საფონდო: 9999

წინააღმდეგობა: 523 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB9092V

ERA-6EEB9092V

ნაწილი საფონდო: 119

წინააღმდეგობა: 90.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB3651V

ERA-6EEB3651V

ნაწილი საფონდო: 3013

წინააღმდეგობა: 3.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YHD430V

ERA-3YHD430V

ნაწილი საფონდო: 9582

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1691V

ERA-6EEB1691V

ნაწილი საფონდო: 9777

წინააღმდეგობა: 1.69 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YHB200V

ERA-6YHB200V

ნაწილი საფონდო: 393

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1200V

ERA-6EEB1200V

ნაწილი საფონდო: 9698

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EHB40R2A

ERA-6EHB40R2A

ნაწილი საფონდო: 200

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1102V

ERA-6EEB1102V

ნაწილი საფონდო: 9740

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED182V

ERA-3YED182V

ნაწილი საფონდო: 9550

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB2432V

ERA-6EEB2432V

ნაწილი საფონდო: 9862

წინააღმდეგობა: 24.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1151V

ERA-6EEB1151V

ნაწილი საფონდო: 9727

წინააღმდეგობა: 1.15 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YED130V

ERA-6YED130V

ნაწილი საფონდო: 203

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YKD753V

ERA-3YKD753V

ნაწილი საფონდო: 9654

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED331V

ERA-3YED331V

ნაწილი საფონდო: 3010

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB3481V

ERA-6EEB3481V

ნაწილი საფონდო: 9913

წინააღმდეგობა: 3.48 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1071V

ERA-6EEB1071V

ნაწილი საფონდო: 9688

წინააღმდეგობა: 1.07 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB4222V

ERA-6EEB4222V

ნაწილი საფონდო: 10039

წინააღმდეგობა: 42.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB6650V

ERA-6EEB6650V

ნაწილი საფონდო: 89

წინააღმდეგობა: 665 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB6042V

ERA-6EEB6042V

ნაწილი საფონდო: 102

წინააღმდეგობა: 6.04 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB3570V

ERA-6EEB3570V

ნაწილი საფონდო: 9953

წინააღმდეგობა: 357 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB5762V

ERA-6EEB5762V

ნაწილი საფონდო: 96

წინააღმდეგობა: 57.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB3830V

ERA-6EEB3830V

ნაწილი საფონდო: 9991

წინააღმდეგობა: 383 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1300V

ERA-6EEB1300V

ნაწილი საფონდო: 9703

წინააღმდეგობა: 130 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB2200V

ERA-6EEB2200V

ნაწილი საფონდო: 9814

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1910V

ERA-6EEB1910V

ნაწილი საფონდო: 9860

წინააღმდეგობა: 191 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB2100V

ERA-6EEB2100V

ნაწილი საფონდო: 9817

წინააღმდეგობა: 210 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB5900V

ERA-6EEB5900V

ნაწილი საფონდო: 106

წინააღმდეგობა: 590 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB8062V

ERA-6EEB8062V

ნაწილი საფონდო: 168

წინააღმდეგობა: 80.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი