ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-6EEB1180V

ERA-6EEB1180V

ნაწილი საფონდო: 3062

წინააღმდეგობა: 118 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB3901V

ERA-6EEB3901V

ნაწილი საფონდო: 10008

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED301V

ERA-3YED301V

ნაწილი საფონდო: 9570

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YED302Z

ERA-6YED302Z

ნაწილი საფონდო: 288

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YKD164V

ERA-6YKD164V

ნაწილი საფონდო: 369

წინააღმდეგობა: 160 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB5601V

ERA-6EEB5601V

ნაწილი საფონდო: 57

წინააღმდეგობა: 5.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB4990V

ERA-6EEB4990V

ნაწილი საფონდო: 10069

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YHD430V

ERA-6YHD430V

ნაწილი საფონდო: 421

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB3302V

ERA-6EEB3302V

ნაწილი საფონდო: 9906

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB8200V

ERA-3EEB8200V

ნაწილი საფონდო: 9405

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1470V

ERA-6EEB1470V

ნაწილი საფონდო: 9751

წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED912V

ERA-3YED912V

ნაწილი საფონდო: 9597

წინააღმდეგობა: 9.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB5231V

ERA-6EEB5231V

ნაწილი საფონდო: 7397

წინააღმდეგობა: 5.23 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB430U

ERA-6YEB430U

ნაწილი საფონდო: 203

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YED563V

ERA-6YED563V

ნაწილი საფონდო: 310

წინააღმდეგობა: 56 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB2740V

ERA-6EEB2740V

ნაწილი საფონდო: 9901

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED472V

ERA-3YED472V

ნაწილი საფონდო: 9630

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YHD120V

ERA-6YHD120V

ნაწილი საფონდო: 2811

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB2202V

ERA-6EEB2202V

ნაწილი საფონდო: 9845

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1652V

ERA-6EEB1652V

ნაწილი საფონდო: 9781

წინააღმდეგობა: 16.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED240V

ERA-3YED240V

ნაწილი საფონდო: 9575

წინააღმდეგობა: 24 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB3572V

ERA-6EEB3572V

ნაწილი საფონდო: 9965

წინააღმდეგობა: 35.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YHD330V

ERA-6YHD330V

ნაწილი საფონდო: 3087

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB2671V

ERA-6EEB2671V

ნაწილი საფონდო: 9867

წინააღმდეგობა: 2.67 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1781V

ERA-6EEB1781V

ნაწილი საფონდო: 9769

წინააღმდეგობა: 1.78 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB7500V

ERA-6EEB7500V

ნაწილი საფონდო: 100

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB7322V

ERA-6EEB7322V

ნაწილი საფონდო: 133

წინააღმდეგობა: 73.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB3601V

ERA-6EEB3601V

ნაწილი საფონდო: 9923

წინააღმდეგობა: 3.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YHD360V

ERA-6YHD360V

ნაწილი საფონდო: 350

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED123Z

ERA-3YED123Z

ნაწილი საფონდო: 9542

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB5361V

ERA-3EEB5361V

ნაწილი საფონდო: 9389

წინააღმდეგობა: 5.36 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YHD100V

ERA-3YHD100V

ნაწილი საფონდო: 9650

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB6202V

ERA-6EEB6202V

ნაწილი საფონდო: 59

წინააღმდეგობა: 62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YED471V

ERA-6YED471V

ნაწილი საფონდო: 280

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED162V

ERA-3YED162V

ნაწილი საფონდო: 9526

წინააღმდეგობა: 1.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YED750V

ERA-6YED750V

ნაწილი საფონდო: 332

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი