ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

ERA-6EEB5101V

ERA-6EEB5101V

ნაწილი საფონდო: 9997

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED392V

ERA-3YED392V

ნაწილი საფონდო: 9544

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YKD304Z

ERA-3YKD304Z

ნაწილი საფონდო: 9724

წინააღმდეგობა: 300 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB2001V

ERA-6EEB2001V

ნაწილი საფონდო: 9826

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED201V

ERA-3YED201V

ნაწილი საფონდო: 9549

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB3742V

ERA-6EEB3742V

ნაწილი საფონდო: 9927

წინააღმდეგობა: 37.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YED751V

ERA-6YED751V

ნაწილი საფონდო: 301

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1402V

ERA-6EEB1402V

ნაწილი საფონდო: 9744

წინააღმდეგობა: 14 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB6980V

ERA-6EEB6980V

ნაწილი საფონდო: 142

წინააღმდეგობა: 698 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB4421V

ERA-6EEB4421V

ნაწილი საფონდო: 10053

წინააღმდეგობა: 4.42 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB6811V

ERA-3EEB6811V

ნაწილი საფონდო: 9362

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YHD620V

ERA-6YHD620V

ნაწილი საფონდო: 369

წინააღმდეგობა: 62 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB5902V

ERA-6EEB5902V

ნაწილი საფონდო: 95

წინააღმდეგობა: 59 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB102A

ERA-6YEB102A

ნაწილი საფონდო: 205

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YHD160V

ERA-3YHD160V

ნაწილი საფონდო: 9671

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB5620V

ERA-6EEB5620V

ნაწილი საფონდო: 72

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1602V

ERA-6EEB1602V

ნაწილი საფონდო: 9795

წინააღმდეგობა: 16 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB4021V

ERA-6EEB4021V

ნაწილი საფონდო: 10034

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED331Z

ERA-3YED331Z

ნაწილი საფონდო: 2954

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EED9531V

ERA-3EED9531V

ნაწილი საფონდო: 9429

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB9531V

ERA-3EEB9531V

ნაწილი საფონდო: 9409

წინააღმდეგობა: 9.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB4750V

ERA-6EEB4750V

ნაწილი საფონდო: 10080

წინააღმდეგობა: 475 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YHD360V

ERA-3YHD360V

ნაწილი საფონდო: 9656

წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YED432V

ERA-6YED432V

ნაწილი საფონდო: 3048

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YED333Z

ERA-6YED333Z

ნაწილი საფონდო: 344

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB7150V

ERA-3EEB7150V

ნაწილი საფონდო: 9354

წინააღმდეგობა: 715 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB6981V

ERA-6EEB6981V

ნაწილი საფონდო: 138

წინააღმდეგობა: 6.98 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1202V

ERA-6EEB1202V

ნაწილი საფონდო: 9733

წინააღმდეგობა: 12 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6YEB3010V

ERA-6YEB3010V

ნაწილი საფონდო: 261

წინააღმდეგობა: 301 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB1471V

ERA-6EEB1471V

ნაწილი საფონდო: 9721

წინააღმდეგობა: 1.47 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YED471V

ERA-3YED471V

ნაწილი საფონდო: 2970

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3EEB8871V

ERA-3EEB8871V

ნაწილი საფონდო: 9462

წინააღმდეგობა: 8.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YKD114Z

ERA-3YKD114Z

ნაწილი საფონდო: 9682

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-3YKB114V

ERA-3YKB114V

ნაწილი საფონდო: 9691

წინააღმდეგობა: 110 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB6800V

ERA-6EEB6800V

ნაწილი საფონდო: 119

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
ERA-6EEB6040V

ERA-6EEB6040V

ნაწილი საფონდო: 110

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი