Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
FJX992TF
ON Semiconductor

FJX992TF

ნაწილი საფონდო: 123840

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

სასურველი
FJPF5021O
ON Semiconductor

FJPF5021O

ნაწილი საფონდო: 6070

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 500V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 600mA, 5V,

სასურველი
MJD253T4G
ON Semiconductor

MJD253T4G

ნაწილი საფონდო: 143073

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

სასურველი
NJW3281G
ON Semiconductor

NJW3281G

ნაწილი საფონდო: 27850

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 15A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V,

სასურველი
NSVMMBT3906TT1G
ON Semiconductor

NSVMMBT3906TT1G

ნაწილი საფონდო: 174975

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სასურველი
FJAF4210YTU
ON Semiconductor

FJAF4210YTU

ნაწილი საფონდო: 35767

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 140V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 90 @ 3A, 4V,

სასურველი
KSH127TM
ON Semiconductor

KSH127TM

ნაწილი საფონდო: 158308

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

სასურველი
MJD5731T4
ON Semiconductor

MJD5731T4

ნაწილი საფონდო: 6330

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 350V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

სასურველი
FJP5027O
ON Semiconductor

FJP5027O

ნაწილი საფონდო: 6107

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 800V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 5V,

სასურველი
MPSA56RLRPG
ON Semiconductor

MPSA56RLRPG

ნაწილი საფონდო: 6446

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
MCH6102-TL-E
ON Semiconductor

MCH6102-TL-E

ნაწილი საფონდო: 167629

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

სასურველი
NJL21194DG
ON Semiconductor

NJL21194DG

ნაწილი საფონდო: 6396

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 16A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 250V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V,

სასურველი
PZT2907AT3
ON Semiconductor

PZT2907AT3

ნაწილი საფონდო: 6484

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი
FSB6714
ON Semiconductor

FSB6714

ნაწილი საფონდო: 6475

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სასურველი
MPS2369A
ON Semiconductor

MPS2369A

ნაწილი საფონდო: 6432

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 400nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

სასურველი
MPSA93_D27Z
ON Semiconductor

MPSA93_D27Z

ნაწილი საფონდო: 6501

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 200V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 250nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

სასურველი
PN100A_D26Z
ON Semiconductor

PN100A_D26Z

ნაწილი საფონდო: 6708

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 1V,

სასურველი
MPSA64RLRMG
ON Semiconductor

MPSA64RLRMG

ნაწილი საფონდო: 6456

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

სასურველი
MPSA06RL1
ON Semiconductor

MPSA06RL1

ნაწილი საფონდო: 6441

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
MPSA42RLRFG
ON Semiconductor

MPSA42RLRFG

ნაწილი საფონდო: 6370

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 1mA, 10V,

სასურველი
MJE18004D2G
ON Semiconductor

MJE18004D2G

ნაწილი საფონდო: 6380

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 450V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 400mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 6 @ 2A, 1V,

სასურველი
P2N2222AZL1G
ON Semiconductor

P2N2222AZL1G

ნაწილი საფონდო: 6415

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი
KSH44H11TM
ON Semiconductor

KSH44H11TM

ნაწილი საფონდო: 182291

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

სასურველი
MJD31CTF_NBDD001
ON Semiconductor

MJD31CTF_NBDD001

ნაწილი საფონდო: 6516

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

სასურველი
MJD44H11T5G
ON Semiconductor

MJD44H11T5G

ნაწილი საფონდო: 129504

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

სასურველი
NJVMJD112T4G
ON Semiconductor

NJVMJD112T4G

ნაწილი საფონდო: 138776

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 20µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

სასურველი
KSC2335OTU
ON Semiconductor

KSC2335OTU

ნაწილი საფონდო: 6107

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 7A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V,

სასურველი
KSB707RTU
ON Semiconductor

KSB707RTU

ნაწილი საფონდო: 6068

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 7A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V,

სასურველი
MPSA06_D75Z
ON Semiconductor

MPSA06_D75Z

ნაწილი საფონდო: 6529

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
PN2222AG
ON Semiconductor

PN2222AG

ნაწილი საფონდო: 6433

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი
MMBT6427LT3G
ON Semiconductor

MMBT6427LT3G

ნაწილი საფონდო: 6412

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

სასურველი
P2N2907ARL1G
ON Semiconductor

P2N2907ARL1G

ნაწილი საფონდო: 6406

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი
NSS35200MR6T1G
ON Semiconductor

NSS35200MR6T1G

ნაწილი საფონდო: 107557

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 35V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V,

სასურველი
KSC5504DTM
ON Semiconductor

KSC5504DTM

ნაწილი საფონდო: 6172

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 4 @ 2A, 1V,

სასურველი
MMBT3904_D87Z
ON Semiconductor

MMBT3904_D87Z

ნაწილი საფონდო: 5761

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სასურველი
MPS8099RLRPG
ON Semiconductor

MPS8099RLRPG

ნაწილი საფონდო: 6431

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სასურველი