Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი
PN2222ARLRP
ON Semiconductor

PN2222ARLRP

ნაწილი საფონდო: 6440

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი
MPSW51ARLRPG
ON Semiconductor

MPSW51ARLRPG

ნაწილი საფონდო: 6414

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

სასურველი
FJA4210RTU
ON Semiconductor

FJA4210RTU

ნაწილი საფონდო: 6085

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 140V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

სასურველი
MPS8099RLRAG
ON Semiconductor

MPS8099RLRAG

ნაწილი საფონდო: 6097

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სასურველი
MPSH24_D26Z
ON Semiconductor

MPSH24_D26Z

ნაწილი საფონდო: 6563

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V,

სასურველი
TIP132G
ON Semiconductor

TIP132G

ნაწილი საფონდო: 6451

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

სასურველი
MPS5172RLRM
ON Semiconductor

MPS5172RLRM

ნაწილი საფონდო: 6418

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

სასურველი
NSVBSS63LT1G
ON Semiconductor

NSVBSS63LT1G

ნაწილი საფონდო: 118707

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 2.5mA, 25mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 25mA, 1V,

სასურველი
MPSA64RLRA
ON Semiconductor

MPSA64RLRA

ნაწილი საფონდო: 6389

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

სასურველი
MPS6531_D27Z
ON Semiconductor

MPS6531_D27Z

ნაწილი საფონდო: 6521

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V,

სასურველი
MJD6039T4G
ON Semiconductor

MJD6039T4G

ნაწილი საფონდო: 184114

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V,

სასურველი
MJD128T4
ON Semiconductor

MJD128T4

ნაწილი საფონდო: 6356

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 8A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 5mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

სასურველი
MJD2955
ON Semiconductor

MJD2955

ნაწილი საფონდო: 6390

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

სასურველი
MJD6039T4
ON Semiconductor

MJD6039T4

ნაწილი საფონდო: 6384

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V,

სასურველი
MPS2907AZL1G
ON Semiconductor

MPS2907AZL1G

ნაწილი საფონდო: 6363

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი
MJD253-001
ON Semiconductor

MJD253-001

ნაწილი საფონდო: 6401

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V,

სასურველი
MPSA92_D81Z
ON Semiconductor

MPSA92_D81Z

ნაწილი საფონდო: 6531

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 250nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V,

სასურველი
NJVNJD2873T4G-VF01
ON Semiconductor

NJVNJD2873T4G-VF01

ნაწილი საფონდო: 106148

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

სასურველი
MPSW55
ON Semiconductor

MPSW55

ნაწილი საფონდო: 6725

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 250mA, 1V,

სასურველი
MJD32CTF_NBDD002
ON Semiconductor

MJD32CTF_NBDD002

ნაწილი საფონდო: 6456

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

სასურველი
MPS8099G
ON Semiconductor

MPS8099G

ნაწილი საფონდო: 6367

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სასურველი
KSA3010RTU
ON Semiconductor

KSA3010RTU

ნაწილი საფონდო: 6158

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V,

სასურველი
FJPF13009TU
ON Semiconductor

FJPF13009TU

ნაწილი საფონდო: 6155

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 12A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V,

სასურველი
MJF45H11
ON Semiconductor

MJF45H11

ნაწილი საფონდო: 6405

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

სასურველი
CPH6153-TL-E
ON Semiconductor

CPH6153-TL-E

ნაწილი საფონდო: 114760

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 195mV @ 75mA, 1.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

სასურველი
MJB45H11
ON Semiconductor

MJB45H11

ნაწილი საფონდო: 6389

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V,

სასურველი
MPS2222RLRMG
ON Semiconductor

MPS2222RLRMG

ნაწილი საფონდო: 6354

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი
MPSA77RLRA
ON Semiconductor

MPSA77RLRA

ნაწილი საფონდო: 6440

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

სასურველი
MJD42CRL
ON Semiconductor

MJD42CRL

ნაწილი საფონდო: 6406

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

სასურველი
FJAF6806DTU
ON Semiconductor

FJAF6806DTU

ნაწილი საფონდო: 6141

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 6A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 750V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 5V @ 1A, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 4 @ 4A, 5V,

სასურველი
KSH112TM
ON Semiconductor

KSH112TM

ნაწილი საფონდო: 166495

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 20µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V,

სასურველი
TIP141T
ON Semiconductor

TIP141T

ნაწილი საფონდო: 6098

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 10A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

სასურველი
MPSA56G
ON Semiconductor

MPSA56G

ნაწილი საფონდო: 6375

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 80V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

სასურველი
MPSW51ARLRP
ON Semiconductor

MPSW51ARLRP

ნაწილი საფონდო: 6401

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 1V,

სასურველი
PN2907ARLRAG
ON Semiconductor

PN2907ARLRAG

ნაწილი საფონდო: 6129

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სასურველი
MPSA12_D75Z
ON Semiconductor

MPSA12_D75Z

ნაწილი საფონდო: 6662

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 10µA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

სასურველი