დენის დრაივერის მოდულები

FNA41560B2

FNA41560B2

ნაწილი საფონდო: 7530

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

სასურველი
FNC42060F2

FNC42060F2

ნაწილი საფონდო: 6202

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 20A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

სასურველი
FSBB30CH60D

FSBB30CH60D

ნაწილი საფონდო: 2623

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

სასურველი
FPDB60PH60B

FPDB60PH60B

ნაწილი საფონდო: 2362

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 2 Phase, მიმდინარე: 60A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

სასურველი
FSB50450AT

FSB50450AT

ნაწილი საფონდო: 16352

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.5A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),

სასურველი
FNB51560TD1

FNB51560TD1

ნაწილი საფონდო: 6680

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 20-PowerDIP Module (1.220", 31.00mm),

სასურველი
FSBB15CH120D

FSBB15CH120D

ნაწილი საფონდო: 2004

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

სასურველი
FSB50550AB

FSB50550AB

ნაწილი საფონდო: 10385

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.644", 16.35mm),

სასურველი
STK5MFU3C1A-E

STK5MFU3C1A-E

ნაწილი საფონდო: 3337

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 53A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 28-PowerSIP Module, 23 Leads, Formed Leads,

სასურველი
FSBB30CH60CS

FSBB30CH60CS

ნაწილი საფონდო: 927

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-DIP Module,

სასურველი
FSBB15CH60C

FSBB15CH60C

ნაწილი საფონდო: 4732

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

სასურველი
FNB43060T2

FNB43060T2

ნაწილი საფონდო: 4176

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

სასურველი
FSB50450TB

FSB50450TB

ნაწილი საფონდო: 951

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.5A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),

სასურველი
FNA41060

FNA41060

ნაწილი საფონდო: 6393

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

სასურველი
FSB70325

FSB70325

ნაწილი საფონდო: 22220

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 4.1A, Ვოლტაჟი: 250V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerLQFN Module,

სასურველი
FNA40860

FNA40860

ნაწილი საფონდო: 6135

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 8A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

სასურველი
FNA23512A

FNA23512A

ნაწილი საფონდო: 911

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 35A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 34-PowerDIP Module (1.480", 37.60mm),

სასურველი
FBM402D018A0EC

FBM402D018A0EC

ნაწილი საფონდო: 934

პაკეტი / კორპუსი: Module,

სასურველი
FSB50450B

FSB50450B

ნაწილი საფონდო: 1751

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 2.2A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.551", 14.00mm),

სასურველი
FSB50550TB

FSB50550TB

ნაწილი საფონდო: 979

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.8A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),

სასურველი
FSB50250US

FSB50250US

ნაწილი საფონდო: 17016

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 1.1A, Ვოლტაჟი: 500V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,

სასურველი
FPAM30LH60

FPAM30LH60

ნაწილი საფონდო: 2296

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 2 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

სასურველი
FNE41060

FNE41060

ნაწილი საფონდო: 5513

პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

სასურველი
FPAB30BH60B

FPAB30BH60B

ნაწილი საფონდო: 6265

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 1 Phase, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

სასურველი
FSBF15CH60CT

FSBF15CH60CT

ნაწილი საფონდო: 3526

პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

სასურველი
FNB40560B2

FNB40560B2

ნაწილი საფონდო: 8356

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 5A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

სასურველი
FBM502H10S001A

FBM502H10S001A

ნაწილი საფონდო: 987

პაკეტი / კორპუსი: Module,

სასურველი
FSBB10CH120D

FSBB10CH120D

ნაწილი საფონდო: 2964

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 10A, Ვოლტაჟი: 1.2kV, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

სასურველი
FSB50825AT

FSB50825AT

ნაწილი საფონდო: 1219

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 3.6A, Ვოლტაჟი: 250V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerDIP Module (0.748", 19.00mm),

სასურველი
FSB52006S

FSB52006S

ნაწილი საფონდო: 13308

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 2.6A, Ვოლტაჟი: 60V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,

სასურველი
FNB34060T

FNB34060T

ნაწილი საფონდო: 2333

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 40A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 27-PowerDIP Module (1.205", 30.60mm),

სასურველი
FNA23060

FNA23060

ნაწილი საფონდო: 1565

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase Inverter, მიმდინარე: 30A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 34-PowerDIP Module (1.480", 37.60mm),

სასურველი
FSAM75SM60A

FSAM75SM60A

ნაწილი საფონდო: 1059

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 75A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

სასურველი
FSB50760SFS

FSB50760SFS

ნაწილი საფონდო: 9447

ტიპი: MOSFET, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 3.6A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 1500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 23-PowerSMD Module, Gull Wing,

სასურველი
FPAM50LH60

FPAM50LH60

ნაწილი საფონდო: 2206

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 2 Phase, მიმდინარე: 50A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm),

სასურველი
FNB41560

FNB41560

ნაწილი საფონდო: 6571

ტიპი: IGBT, კონფიგურაცია: 3 Phase, მიმდინარე: 15A, Ვოლტაჟი: 600V, ძაბვა - იზოლაცია: 2000Vrms, პაკეტი / კორპუსი: 26-PowerDIP Module (1.024", 26.00mm),

სასურველი