Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
MOC217R2M
ON Semiconductor

MOC217R2M

ნაწილი საფონდო: 102135

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
FODM121AR2
ON Semiconductor

FODM121AR2

ნაწილი საფონდო: 135974

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FOD8523SD
ON Semiconductor

FOD8523SD

ნაწილი საფონდო: 189346

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 15000% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 100µs, 20µs,

სასურველი
MOCD207R2M
ON Semiconductor

MOCD207R2M

ნაწილი საფონდო: 199488

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
FODM121
ON Semiconductor

FODM121

ნაწილი საფონდო: 122114

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FOD817C3SD
ON Semiconductor

FOD817C3SD

ნაწილი საფონდო: 192848

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
FODM124
ON Semiconductor

FODM124

ნაწილი საფონდო: 126286

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11AA1SR2M
ON Semiconductor

H11AA1SR2M

ნაწილი საფონდო: 165635

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA,

სასურველი
MCT62SD
ON Semiconductor

MCT62SD

ნაწილი საფონდო: 137595

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
FODM217A
ON Semiconductor

FODM217A

ნაწილი საფონდო: 111046

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 3µs,

სასურველი
HMHA2801AR2V
ON Semiconductor

HMHA2801AR2V

ნაწილი საფონდო: 166858

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 80% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 160% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FODM2705R2
ON Semiconductor

FODM2705R2

ნაწილი საფონდო: 169315

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
CNY17F2M
ON Semiconductor

CNY17F2M

ნაწილი საფონდო: 109362

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 63% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 125% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
FOD817D
ON Semiconductor

FOD817D

ნაწილი საფონდო: 155847

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
HMHA281R4
ON Semiconductor

HMHA281R4

ნაწილი საფონდო: 151361

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
MCT2713S
ON Semiconductor

MCT2713S

ნაწილი საფონდო: 4238

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5300Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 45% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 90% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 1µs, 48µs,

სასურველი
HMHA2801CR2
ON Semiconductor

HMHA2801CR2

ნაწილი საფონდო: 97931

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FOD814SD
ON Semiconductor

FOD814SD

ნაწილი საფონდო: 112226

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
FOD814AS
ON Semiconductor

FOD814AS

ნაწილი საფონდო: 111048

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
MOC8021M
ON Semiconductor

MOC8021M

ნაწილი საფონდო: 93914

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 8.5µs, 95µs,

სასურველი
FODM8801CR2V
ON Semiconductor

FODM8801CR2V

ნაწილი საფონდო: 143087

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 200% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 400% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 6µs, 6µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 5µs, 5.5µs,

სასურველი
FOD814ASD
ON Semiconductor

FOD814ASD

ნაწილი საფონდო: 184558

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 150% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
HCPL0453
ON Semiconductor

HCPL0453

ნაწილი საფონდო: 34606

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
HMHA281R2
ON Semiconductor

HMHA281R2

ნაწილი საფონდო: 108824

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FOD814S
ON Semiconductor

FOD814S

ნაწილი საფონდო: 114499

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
FODM8801B
ON Semiconductor

FODM8801B

ნაწილი საფონდო: 57220

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 130% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 260% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 6µs, 6µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 5µs, 5.5µs,

სასურველი
MOCD207M
ON Semiconductor

MOCD207M

ნაწილი საფონდო: 66598

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
FOD852SD
ON Semiconductor

FOD852SD

ნაწილი საფონდო: 189321

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 15000% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 100µs, 20µs,

სასურველი
HCPL0731
ON Semiconductor

HCPL0731

ნაწილი საფონდო: 19444

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 400% @ 500µA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 5000% @ 500µA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300ns, 1.6µs,

სასურველი
FODM124R2V
ON Semiconductor

FODM124R2V

ნაწილი საფონდო: 165073

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 1200% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11G1M
ON Semiconductor

H11G1M

ნაწილი საფონდო: 74820

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 10mA,

სასურველი
HCPL4503SDM
ON Semiconductor

HCPL4503SDM

ნაწილი საფონდო: 73451

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 250ns, 260ns,

სასურველი
HCPL0501
ON Semiconductor

HCPL0501

ნაწილი საფონდო: 30738

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
FOD817B
ON Semiconductor

FOD817B

ნაწილი საფონდო: 155820

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 130% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 260% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
MOC223M
ON Semiconductor

MOC223M

ნაწილი საფონდო: 80484

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 10µs, 125µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 8µs, 110µs,

სასურველი
FOD817SD
ON Semiconductor

FOD817SD

ნაწილი საფონდო: 185087

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი