Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ

  • სახლი
  •  
  • ოპტოიზოლატორები - ტრანზისტორი, ფოტოელექტრონული გამ
MCT5211TVM
ON Semiconductor

MCT5211TVM

ნაწილი საფონდო: 118159

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 150% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 14µs, 2.5µs,

სასურველი
HCPL2531
ON Semiconductor

HCPL2531

ნაწილი საფონდო: 33530

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
HCPL3700SD
ON Semiconductor

HCPL3700SD

ნაწილი საფონდო: 39981

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 6µs, 25µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 45µs, 0.5µs,

სასურველი
FOD8173S
ON Semiconductor

FOD8173S

ნაწილი საფონდო: 128543

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
FODM121A
ON Semiconductor

FODM121A

ნაწილი საფონდო: 116286

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
FOD2711ASDV
ON Semiconductor

FOD2711ASDV

ნაწილი საფონდო: 153390

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA,

სასურველი
MOC256R2M
ON Semiconductor

MOC256R2M

ნაწილი საფონდო: 171881

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA,

სასურველი
MOC8204SM
ON Semiconductor

MOC8204SM

ნაწილი საფონდო: 54293

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
MOC211R2M
ON Semiconductor

MOC211R2M

ნაწილი საფონდო: 101788

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
MOCD213R2VM
ON Semiconductor

MOCD213R2VM

ნაწილი საფონდო: 55554

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 3µs, 2.8µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 1.6µs, 2.2µs,

სასურველი
CNY171TVM
ON Semiconductor

CNY171TVM

ნაწილი საფონდო: 8689

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
CNY17F3SR2VM
ON Semiconductor

CNY17F3SR2VM

ნაწილი საფონდო: 165873

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
MOC8204M
ON Semiconductor

MOC8204M

ნაწილი საფონდო: 56357

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 5µs, 5µs,

სასურველი
HCPL2530
ON Semiconductor

HCPL2530

ნაწილი საფონდო: 34093

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 7% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 500ns,

სასურველი
H11B1VM
ON Semiconductor

H11B1VM

ნაწილი საფონდო: 114663

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 500% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 25µs, 18µs,

სასურველი
H11F3M
ON Semiconductor

H11F3M

ნაწილი საფონდო: 22074

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 45µs, 45µs (Max),

სასურველი
HCPL0531
ON Semiconductor

HCPL0531

ნაწილი საფონდო: 19040

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 19% @ 16mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 50% @ 16mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 450ns, 300ns,

სასურველი
FOD817B300W
ON Semiconductor

FOD817B300W

ნაწილი საფონდო: 126327

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 130% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 260% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3µs,

სასურველი
MCT623SD
ON Semiconductor

MCT623SD

ნაწილი საფონდო: 190851

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
MOCD211M
ON Semiconductor

MOCD211M

ნაწილი საფონდო: 72593

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 7.5µs, 5.7µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3.2µs, 4.7µs,

სასურველი
H11F1TVM
ON Semiconductor

H11F1TVM

ნაწილი საფონდო: 49208

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 45µs, 45µs (Max),

სასურველი
CNY173TVM
ON Semiconductor

CNY173TVM

ნაწილი საფონდო: 116285

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 200% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
HCPL3700M
ON Semiconductor

HCPL3700M

ნაწილი საფონდო: 37547

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 6µs, 25µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 45µs, 0.5µs,

სასურველი
HCPL3700SDV
ON Semiconductor

HCPL3700SDV

ნაწილი საფონდო: 34738

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 6µs, 25µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 45µs, 0.5µs,

სასურველი
FOD852S
ON Semiconductor

FOD852S

ნაწილი საფონდო: 65994

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 1000% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 15000% @ 1mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 100µs, 20µs,

სასურველი
MCT62S
ON Semiconductor

MCT62S

ნაწილი საფონდო: 70421

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 5000Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 5mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2.4µs, 2.4µs,

სასურველი
HCPL2730SD
ON Semiconductor

HCPL2730SD

ნაწილი საფონდო: 66223

არხების რაოდენობა: 2, ძაბვა - იზოლაცია: 2500Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 300% @ 1.6mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 300ns, 5µs,

სასურველი
H11AV1SR2M
ON Semiconductor

H11AV1SR2M

ნაწილი საფონდო: 194326

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 100% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 300% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 15µs, 15µs (Max),

სასურველი
FODM8801BR2
ON Semiconductor

FODM8801BR2

ნაწილი საფონდო: 162014

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 130% @ 1mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 260% @ 1mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 6µs, 6µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 5µs, 5.5µs,

სასურველი
H11A1TVM
ON Semiconductor

H11A1TVM

ნაწილი საფონდო: 196475

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs,

სასურველი
H11AA1SR2VM
ON Semiconductor

H11AA1SR2VM

ნაწილი საფონდო: 71796

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA,

სასურველი
CNY17F1SR2M
ON Semiconductor

CNY17F1SR2M

ნაწილი საფონდო: 112628

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 40% @ 10mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 80% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 3µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 4µs, 3.5µs (Max),

სასურველი
HMHAA280V
ON Semiconductor

HMHAA280V

ნაწილი საფონდო: 92699

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი
H11AA1SM
ON Semiconductor

H11AA1SM

ნაწილი საფონდო: 75549

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 4170Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA,

სასურველი
MCT2ESR2VM
ON Semiconductor

MCT2ESR2VM

ნაწილი საფონდო: 161992

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 7500Vpk, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 20% @ 10mA, ჩართვა / გამორთვა დრო (ტიპი): 2µs, 2µs, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 2µs, 1.5µs,

სასურველი
FODM121R2V
ON Semiconductor

FODM121R2V

ნაწილი საფონდო: 178282

არხების რაოდენობა: 1, ძაბვა - იზოლაცია: 3750Vrms, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (წთ): 50% @ 5mA, მიმდინარე გადაცემის კოეფიციენტი (მაქსიმალური): 600% @ 5mA, აწევა / დაცემის დრო (ტიპი): 3µs, 3µs,

სასურველი