დიოდები - ცვალებადი ტევადობა (Varicaps, Varactors)

MMBV3102LT1G

ნაწილი საფონდო: 7469

მოცულობა @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 4.8, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

MMVL409T1G

ნაწილი საფონდო: 7460

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 1.9, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 20V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

MMBV609LT1G

ნაწილი საფონდო: 7414

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 2.4, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 20V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,

SVC710-TL-E

ნაწილი საფონდო: 182167

მოცულობა @ Vr, F: 4.8pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 4.8, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C1/C4, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 15V, დიოდის ტიპი: Single,

MV104RLRAG

ნაწილი საფონდო: 7535

მოცულობა @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 2.8, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 32V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,

MV2101G

ნაწილი საფონდო: 7467

მოცულობა @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

SVC203C-AA-TB-E

ნაწილი საფონდო: 163190

SVC276-TL-E

ნაწილი საფონდო: 161473

მოცულობა @ Vr, F: 23.78pF @ 8V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.1, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 16V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 2V, 100MHz,

MMBV109LT1

ნაწილი საფონდო: 7468

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 6.5, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

MV104

ნაწილი საფონდო: 7458

მოცულობა @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 2.8, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 32V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,

MMVL3102T1G

ნაწილი საფონდო: 7439

მოცულობა @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 4.8, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

MMBV2101LT1

ნაწილი საფონდო: 7481

მოცულობა @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

MV209

ნაწილი საფონდო: 7438

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 6.5, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

SVC704-TL-E

ნაწილი საფონდო: 133201

მოცულობა @ Vr, F: 4.6pF @ 7V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 6, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C1/C7, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 16V, დიოდის ტიპი: Single,

MMBV809LT1G

ნაწილი საფონდო: 7434

მოცულობა @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 2.6, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 20V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

MMBV432LT1G

ნაწილი საფონდო: 5499

მოცულობა @ Vr, F: 48.1pF @ 2V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 14V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

MV209RLRA

ნაწილი საფონდო: 7525

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 6.5, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,