დიოდები - ცვალებადი ტევადობა (Varicaps, Varactors)

SVC203C-TB-E

SVC203C-TB-E

ნაწილი საფონდო: 178025

მოცულობა @ Vr, F: 13.4pF @ 9V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 4.6, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C1/C9, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 16V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 60 @ 3V, 100MHz,

სასურველი
MMBV109LT3G

MMBV109LT3G

ნაწილი საფონდო: 7476

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 6.5, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

სასურველი
MMBV409LT1

MMBV409LT1

ნაწილი საფონდო: 4762

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 1.9, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 20V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

სასურველი
MMBV3102LT1

MMBV3102LT1

ნაწილი საფონდო: 7497

მოცულობა @ Vr, F: 25pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 4.8, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

სასურველი
MMBV809LT3G

MMBV809LT3G

ნაწილი საფონდო: 7496

მოცულობა @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 2.6, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 20V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

სასურველი
MV104G

MV104G

ნაწილი საფონდო: 7467

მოცულობა @ Vr, F: 42pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 2.8, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 32V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 140 @ 3V, 100MHz,

სასურველი
MMBV105GLT1G

MMBV105GLT1G

ნაწილი საფონდო: 7457

მოცულობა @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 6.5, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

სასურველი
MMBV2108LT1G

MMBV2108LT1G

ნაწილი საფონდო: 7478

მოცულობა @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
MMBV409LT1G

MMBV409LT1G

ნაწილი საფონდო: 7505

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 1.9, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 20V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

სასურველი
MMBV2105LT1

MMBV2105LT1

ნაწილი საფონდო: 7497

მოცულობა @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
MV209G

MV209G

ნაწილი საფონდო: 7434

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 6.5, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

სასურველი
SVC236-TB-E

SVC236-TB-E

ნაწილი საფონდო: 172795

მოცულობა @ Vr, F: 16.84pF @ 6.5V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 5, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C1/C6.5, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 16V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 70 @ 3V, 100MHz,

სასურველი
MMBV105GLT1

MMBV105GLT1

ნაწილი საფონდო: 7466

მოცულობა @ Vr, F: 2.8pF @ 25V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 6.5, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 250 @ 3V, 50MHz,

სასურველი
MV2105

MV2105

ნაწილი საფონდო: 4830

მოცულობა @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
SVC230-TB-E

SVC230-TB-E

ნაწილი საფონდო: 129142

მოცულობა @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 1.75, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 16V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

სასურველი
MV2101

MV2101

ნაწილი საფონდო: 7532

მოცულობა @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
MMVL109T1G

MMVL109T1G

ნაწილი საფონდო: 7529

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 6.5, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

სასურველი
MMBV2105LT1G

MMBV2105LT1G

ნაწილი საფონდო: 7480

მოცულობა @ Vr, F: 16.5pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 400 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
MMVL809T1G

MMVL809T1G

ნაწილი საფონდო: 7476

მოცულობა @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 2.6, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 20V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

სასურველი
MMBV2108LT1

MMBV2108LT1

ნაწილი საფონდო: 7527

მოცულობა @ Vr, F: 29.7pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 300 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
SVC270-TL-E

SVC270-TL-E

ნაწილი საფონდო: 119447

მოცულობა @ Vr, F: 28.2pF @ 8V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 1.75, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 16V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 100 @ 3V, 100MHz,

სასურველი
SVC272-TL-E

SVC272-TL-E

ნაწილი საფონდო: 157486

მოცულობა @ Vr, F: 18.55pF @ 8V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 2.3, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 16V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

სასურველი
SVC383T-TL-E

SVC383T-TL-E

ნაწილი საფონდო: 7528

მოცულობა @ Vr, F: 27pF @ 6.5V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 24.5, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C1/C6.5, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 33V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 200 @ 1V, 1MHz,

სასურველი
MMBV109LT1G

MMBV109LT1G

ნაწილი საფონდო: 7474

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 6.5, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

სასურველი
MMBV2109LT1

MMBV2109LT1

ნაწილი საფონდო: 7496

მოცულობა @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
MMBV609LT1

MMBV609LT1

ნაწილი საფონდო: 7446

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 2.4, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 20V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 450 @ 3V, 50MHz,

სასურველი
MMBV432LT1

MMBV432LT1

ნაწილი საფონდო: 7461

მოცულობა @ Vr, F: 48.1pF @ 2V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 14V, დიოდის ტიპი: 1 Pair Common Cathode, Q @ Vr, F: 150 @ 2V, 100MHz,

სასურველი
MMBV2109LT1G

MMBV2109LT1G

ნაწილი საფონდო: 7468

მოცულობა @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
MV2109G

MV2109G

ნაწილი საფონდო: 7495

მოცულობა @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
MMVL2101T1G

MMVL2101T1G

ნაწილი საფონდო: 7502

მოცულობა @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
MMBV2101LT1G

MMBV2101LT1G

ნაწილი საფონდო: 7426

მოცულობა @ Vr, F: 7.5pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 450 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
MMBV2107LT1

MMBV2107LT1

ნაწილი საფონდო: 4758

მოცულობა @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
MMBV109LT3

MMBV109LT3

ნაწილი საფონდო: 7449

მოცულობა @ Vr, F: 32pF @ 3V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 6.5, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C3/C25, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 3V, 50MHz,

სასურველი
MV2109RLRAG

MV2109RLRAG

ნაწილი საფონდო: 7459

მოცულობა @ Vr, F: 36.3pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 200 @ 4V, 50MHz,

სასურველი
MMBV809LT1

MMBV809LT1

ნაწილი საფონდო: 7482

მოცულობა @ Vr, F: 6.1pF @ 2V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 2.6, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C8, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 20V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 75 @ 3V, 500MHz,

სასურველი
MMBV2107LT1G

MMBV2107LT1G

ნაწილი საფონდო: 7528

მოცულობა @ Vr, F: 24.2pF @ 4V, 1MHz, ტევადობის კოეფიციენტი: 3.2, ტევადობის თანაფარდობის მდგომარეობა: C2/C30, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 30V, დიოდის ტიპი: Single, Q @ Vr, F: 350 @ 4V, 50MHz,

სასურველი