ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

2N7000BU

ნაწილი საფონდო: 155891

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000-D26Z

ნაწილი საფონდო: 30133

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2V7002WT1G

ნაწილი საფონდო: 187851

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002KW

ნაწილი საფონდო: 157123

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000TA

ნაწილი საფონდო: 141923

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2V7002KT1G

ნაწილი საფონდო: 170630

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002KT1G

ნაწილი საფონდო: 188988

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002WT1G

ნაწილი საფონდო: 194951

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V,

2V7002LT3G

ნაწილი საფონდო: 180012

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002L

ნაწილი საფონდო: 150772

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7000

ნაწილი საფონდო: 155873

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002W

ნაწილი საფონდო: 158579

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

2N7002LT3G

ნაწილი საფონდო: 113499

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002K

ნაწილი საფონდო: 167894

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002ET1G

ნაწილი საფონდო: 156724

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 260mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 240mA, 10V,

2V7002LT1G

ნაწილი საფონდო: 187770

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002

ნაწილი საფონდო: 115378

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002LT1G

ნაწილი საფონდო: 126299

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 115mA (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

3LP01SS-TL-EX

ნაწილი საფონდო: 2251

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01C-TB-E

ნაწილი საფონდო: 130398

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01SS-TL-E

ნაწილი საფონდო: 174489

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01S-TL-E

ნაწილი საფონდო: 1963

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-E

ნაწილი საფონდო: 161259

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-H

ნაწილი საფონდო: 137899

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01M-TL-E

ნაწილი საფონდო: 133843

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01M-TL-H

ნაწილი საფონდო: 111476

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-E

ნაწილი საფონდო: 1924

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01S-TL-E

ნაწილი საფონდო: 1979

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LP01S-K-TL-E

ნაწილი საფონდო: 1806

3LP01M-TL-E

ნაწილი საფონდო: 137438

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01C-TB-H

ნაწილი საფონდო: 1190

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LP01SS-TL-H

ნაწილი საფონდო: 1133

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

3LN01SS-TL-H

ნაწილი საფონდო: 1184

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01C-TB-H

ნაწილი საფონდო: 1110

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 1.5V, 4V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

3LN01S-K-TL-E

ნაწილი საფონდო: 9511

5LN01C-TB-EX

ნაწილი საფონდო: 2353