Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • ტრანზისტორები - FET, MOSFET - ერთჯერადი
1HP04CH-TL-W
ON Semiconductor

1HP04CH-TL-W

ნაწილი საფონდო: 100908

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 Ohm @ 80mA, 10V,

სასურველი
1HN04CH-TL-W
ON Semiconductor

1HN04CH-TL-W

ნაწილი საფონდო: 117115

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 140mA, 10V,

სასურველი
2N7000-D75Z
ON Semiconductor

2N7000-D75Z

ნაწილი საფონდო: 99

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი
2SK4094-1E
ON Semiconductor

2SK4094-1E

ნაწილი საფონდო: 20693

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
2SJ661-1E
ON Semiconductor

2SJ661-1E

ნაწილი საფონდო: 57846

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

სასურველი
2SK3746-1E
ON Semiconductor

2SK3746-1E

ნაწილი საფონდო: 15517

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი
2SK3703-1E
ON Semiconductor

2SK3703-1E

ნაწილი საფონდო: 40945

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

სასურველი
2SJ652-1E
ON Semiconductor

2SJ652-1E

ნაწილი საფონდო: 33065

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

სასურველი
2SK3745LS-1E
ON Semiconductor

2SK3745LS-1E

ნაწილი საფონდო: 18892

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი
2SK3747-1E
ON Semiconductor

2SK3747-1E

ნაწილი საფონდო: 15610

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი
2SK4177-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4177-DL-1E

ნაწილი საფონდო: 30646

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

სასურველი
2SJ661-DL-1E
ON Semiconductor

2SJ661-DL-1E

ნაწილი საფონდო: 57287

FET ტიპი: P-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 38A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

სასურველი
2N7000BU_T
ON Semiconductor

2N7000BU_T

ნაწილი საფონდო: 2253

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

სასურველი
2SK4066-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK4066-DL-1EX

ნაწილი საფონდო: 2250

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
2SK4065-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK4065-DL-1EX

ნაწილი საფონდო: 2210

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 75V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
2SJ661-1EX
ON Semiconductor

2SJ661-1EX

ნაწილი საფონდო: 2203

წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V,

სასურველი
2SJ652-1EX
ON Semiconductor

2SJ652-1EX

ნაწილი საფონდო: 2120

წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V,

სასურველი
2SK3816-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK3816-DL-1EX

ნაწილი საფონდო: 2164

წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V,

სასურველი
2SK3703-1EX
ON Semiconductor

2SK3703-1EX

ნაწილი საფონდო: 2124

წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V,

სასურველი
2SJ661-DL-1EX
ON Semiconductor

2SJ661-DL-1EX

ნაწილი საფონდო: 2140

წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V,

სასურველი
2SK4125-1EX
ON Semiconductor

2SK4125-1EX

ნაწილი საფონდო: 2103

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

სასურველი
2SK4098FS
ON Semiconductor

2SK4098FS

ნაწილი საფონდო: 2085

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

სასურველი
2SK4125-1E
ON Semiconductor

2SK4125-1E

ნაწილი საფონდო: 6248

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

სასურველი
2SK536-MTK-TB-E
ON Semiconductor

2SK536-MTK-TB-E

ნაწილი საფონდო: 198740

წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V,

სასურველი
2SK4099LS-1E
ON Semiconductor

2SK4099LS-1E

ნაწილი საფონდო: 1876

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

სასურველი
2SK4124-1E
ON Semiconductor

2SK4124-1E

ნაწილი საფონდო: 6267

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

სასურველი
2SK4087LS-1E
ON Semiconductor

2SK4087LS-1E

ნაწილი საფონდო: 1869

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.2A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

სასურველი
2SK4088LS-1E
ON Semiconductor

2SK4088LS-1E

ნაწილი საფონდო: 1874

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 650V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

სასურველი
2SK4066-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4066-DL-1E

ნაწილი საფონდო: 1810

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
2SK4085LS-1E
ON Semiconductor

2SK4085LS-1E

ნაწილი საფონდო: 1812

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

სასურველი
2SK4066-1E
ON Semiconductor

2SK4066-1E

ნაწილი საფონდო: 1849

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
2SK3820-DL-1E
ON Semiconductor

2SK3820-DL-1E

ნაწილი საფონდო: 1839

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

სასურველი
2SK4065-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4065-DL-1E

ნაწილი საფონდო: 1813

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 75V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

სასურველი
2SK3748-1E
ON Semiconductor

2SK3748-1E

ნაწილი საფონდო: 10717

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 1500V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

სასურველი
2SK3816-DL-1E
ON Semiconductor

2SK3816-DL-1E

ნაწილი საფონდო: 1843

FET ტიპი: N-Channel, ტექნოლოგია: MOSFET (Metal Oxide), გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4V, 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

სასურველი
2N7002WST1G
ON Semiconductor

2N7002WST1G

ნაწილი საფონდო: 1836

წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული): 4.5V, 10V,

სასურველი