ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

80F1K21

80F1K21

ნაწილი საფონდო: 25906

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F4K99

80F4K99

ნაწილი საფონდო: 25866

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F3K01

83F3K01

ნაწილი საფონდო: 25992

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F3K74

83F3K74

ნაწილი საფონდო: 26032

წინააღმდეგობა: 3.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F8K25

85F8K25

ნაწილი საფონდო: 26555

წინააღმდეგობა: 8.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F4R99

80F4R99

ნაწილი საფონდო: 26921

წინააღმდეგობა: 4.99 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83FR221

83FR221

ნაწილი საფონდო: 26839

წინააღმდეგობა: 221 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
80F1R33

80F1R33

ნაწილი საფონდო: 26898

წინააღმდეგობა: 1.33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83FR274

83FR274

ნაწილი საფონდო: 18054

წინააღმდეგობა: 274 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
80F9R09

80F9R09

ნაწილი საფონდო: 26895

წინააღმდეგობა: 9.09 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
80F1R0

80F1R0

ნაწილი საფონდო: 26850

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83FR825

83FR825

ნაწილი საფონდო: 26893

წინააღმდეგობა: 825 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
80F3R01

80F3R01

ნაწილი საფონდო: 26906

წინააღმდეგობა: 3.01 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
80F8R25

80F8R25

ნაწილი საფონდო: 26866

წინააღმდეგობა: 8.25 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83FR249

83FR249

ნაწილი საფონდო: 26881

წინააღმდეგობა: 249 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
83FR499

83FR499

ნაწილი საფონდო: 26896

წინააღმდეგობა: 499 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
80F2R0

80F2R0

ნაწილი საფონდო: 26873

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
80F1R1

80F1R1

ნაწილი საფონდო: 26881

წინააღმდეგობა: 1.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
80F1R21

80F1R21

ნაწილი საფონდო: 26848

წინააღმდეგობა: 1.21 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
80F7R5

80F7R5

ნაწილი საფონდო: 26852

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83FR15

83FR15

ნაწილი საფონდო: 26913

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
80F1R5

80F1R5

ნაწილი საფონდო: 26911

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83FR619

83FR619

ნაწილი საფონდო: 26864

წინააღმდეგობა: 619 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
83FR20

83FR20

ნაწილი საფონდო: 26916

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
83FR681

83FR681

ნაწილი საფონდო: 26877

წინააღმდეგობა: 681 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
83FR332

83FR332

ნაწილი საფონდო: 26921

წინააღმდეგობა: 332 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
83FR402

83FR402

ნაწილი საფონდო: 26833

წინააღმდეგობა: 402 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
80F1R82

80F1R82

ნაწილი საფონდო: 26895

წინააღმდეგობა: 1.82 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83FR562

83FR562

ნაწილი საფონდო: 26914

წინააღმდეგობა: 562 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
83FR10

83FR10

ნაწილი საფონდო: 26882

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
83FR392

83FR392

ნაწილი საფონდო: 26920

წინააღმდეგობა: 392 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
80F909

80F909

ნაწილი საფონდო: 27732

წინააღმდეგობა: 909 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F49R9

80F49R9

ნაწილი საფონდო: 27725

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F162

80F162

ნაწილი საფონდო: 27689

წინააღმდეგობა: 162 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F40R2

80F40R2

ნაწილი საფონდო: 27775

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F110

80F110

ნაწილი საფონდო: 27683

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი