ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

80F100K

80F100K

ნაწილი საფონდო: 9727

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F75K

85F75K

ნაწილი საფონდო: 12641

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F90K9

80F90K9

ნაწილი საფონდო: 13333

წინააღმდეგობა: 90.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F68K1

85F68K1

ნაწილი საფონდო: 13928

წინააღმდეგობა: 68.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F75K

80F75K

ნაწილი საფონდო: 14330

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
81F3K01

81F3K01

ნაწილი საფონდო: 16070

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
81F2K49

81F2K49

ნაწილი საფონდო: 16141

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
81F2K0

81F2K0

ნაწილი საფონდო: 16075

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F61K9

80F61K9

ნაწილი საფონდო: 16412

წინააღმდეგობა: 61.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F68K1

80F68K1

ნაწილი საფონდო: 16416

წინააღმდეგობა: 68.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F51K1

80F51K1

ნაწილი საფონდო: 16479

წინააღმდეგობა: 51.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
81F1R82

81F1R82

ნაწილი საფონდო: 17291

წინააღმდეგობა: 1.82 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
81F2R49

81F2R49

ნაწილი საფონდო: 17266

წინააღმდეგობა: 2.49 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
81F6R81

81F6R81

ნაწილი საფონდო: 17252

წინააღმდეგობა: 6.81 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83F15K

83F15K

ნაწილი საფონდო: 17599

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F18K2

83F18K2

ნაწილი საფონდო: 17633

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F20K

83F20K

ნაწილი საფონდო: 17663

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F49K9

85F49K9

ნაწილი საფონდო: 17933

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F33K2

85F33K2

ნაწილი საფონდო: 17888

წინააღმდეგობა: 33.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F40K2

85F40K2

ნაწილი საფონდო: 17916

წინააღმდეგობა: 40.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F45K3

85F45K3

ნაწილი საფონდო: 17942

წინააღმდეგობა: 45.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F38K3

85F38K3

ნაწილი საფონდო: 17939

წინააღმდეგობა: 38.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
81FR249

81FR249

ნაწილი საფონდო: 18332

წინააღმდეგობა: 249 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
81FR562

81FR562

ნაწილი საფონდო: 18273

წინააღმდეგობა: 562 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
80F40K2

80F40K2

ნაწილი საფონდო: 18307

წინააღმდეგობა: 40.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F30K1

80F30K1

ნაწილი საფონდო: 18393

წინააღმდეგობა: 30.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F10K5

80F10K5

ნაწილი საფონდო: 19135

წინააღმდეგობა: 10.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F18K2

80F18K2

ნაწილი საფონდო: 19149

წინააღმდეგობა: 18.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F20K

80F20K

ნაწილი საფონდო: 19199

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F10K

80F10K

ნაწილი საფონდო: 19179

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F13K3

80F13K3

ნაწილი საფონდო: 19122

წინააღმდეგობა: 13.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F11K

80F11K

ნაწილი საფონდო: 19108

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80FR15

80FR15

ნაწილი საფონდო: 19557

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
80FR825

80FR825

ნაწილი საფონდო: 19496

წინააღმდეგობა: 825 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
80FR453

80FR453

ნაწილი საფონდო: 19464

წინააღმდეგობა: 453 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
80FR392

80FR392

ნაწილი საფონდო: 19511

წინააღმდეგობა: 392 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი