ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

80F3K74

80F3K74

ნაწილი საფონდო: 25888

წინააღმდეგობა: 3.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F3K32

80F3K32

ნაწილი საფონდო: 25925

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F38K3

80F38K3

ნაწილი საფონდო: 18314

წინააღმდეგობა: 38.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F37R4

80F37R4

ნაწილი საფონდო: 27735

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F37K4

80F37K4

ნაწილი საფონდო: 18328

წინააღმდეგობა: 37.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F374

80F374

ნაწილი საფონდო: 27731

წინააღმდეგობა: 374 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F332

80F332

ნაწილი საფონდო: 27770

წინააღმდეგობა: 332 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F33R2

80F33R2

ნაწილი საფონდო: 27709

წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F33K2

80F33K2

ნაწილი საფონდო: 18335

წინააღმდეგობა: 33.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F2R21

80F2R21

ნაწილი საფონდო: 26892

წინააღმდეგობა: 2.21 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
80F2K74

80F2K74

ნაწილი საფონდო: 25905

წინააღმდეგობა: 2.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F2R74

80F2R74

ნაწილი საფონდო: 26888

წინააღმდეგობა: 2.74 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
80F30R1

80F30R1

ნაწილი საფონდო: 27752

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F2K49

80F2K49

ნაწილი საფონდო: 25838

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F27R4

80F27R4

ნაწილი საფონდო: 27770

წინააღმდეგობა: 27.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F2K0

80F2K0

ნაწილი საფონდო: 25928

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F2K21

80F2K21

ნაწილი საფონდო: 25861

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F24K9

80F24K9

ნაწილი საფონდო: 19110

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F22K1

80F22K1

ნაწილი საფონდო: 19165

წინააღმდეგობა: 22.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F22R1

80F22R1

ნაწილი საფონდო: 27745

წინააღმდეგობა: 22.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F274

80F274

ნაწილი საფონდო: 27685

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F221

80F221

ნაწილი საფონდო: 27689

წინააღმდეგობა: 221 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F200

80F200

ნაწილი საფონდო: 27747

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F1K62

80F1K62

ნაწილი საფონდო: 25895

წინააღმდეგობა: 1.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F1K82

80F1K82

ნაწილი საფონდო: 25902

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F18R2

80F18R2

ნაწილი საფონდო: 27683

წინააღმდეგობა: 18.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F1K5

80F1K5

ნაწილი საფონდო: 25884

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F182

80F182

ნაწილი საფონდო: 27773

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F150

80F150

ნაწილი საფონდო: 27699

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F16K2

80F16K2

ნაწილი საფონდო: 19122

წინააღმდეგობა: 16.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F15K

80F15K

ნაწილი საფონდო: 19200

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F15R

80F15R

ნაწილი საფონდო: 27694

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F12R1

80F12R1

ნაწილი საფონდო: 27754

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F12K1

80F12K1

ნაწილი საფონდო: 19142

წინააღმდეგობა: 12.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
80F2R49

80F2R49

ნაწილი საფონდო: 26839

წინააღმდეგობა: 2.49 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
80F200K

80F200K

ნაწილი საფონდო: 8098

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი