ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

85F453

85F453

ნაწილი საფონდო: 35357

წინააღმდეგობა: 453 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F4R53

85F4R53

ნაწილი საფონდო: 29552

წინააღმდეგობა: 4.53 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
85F499

85F499

ნაწილი საფონდო: 35384

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F4K53

85F4K53

ნაწილი საფონდო: 31479

წინააღმდეგობა: 4.53 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F3K74

85F3K74

ნაწილი საფონდო: 31478

წინააღმდეგობა: 3.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F3R32

85F3R32

ნაწილი საფონდო: 29592

წინააღმდეგობა: 3.32 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
85F3K32

85F3K32

ნაწილი საფონდო: 31457

წინააღმდეგობა: 3.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F3R01

85F3R01

ნაწილი საფონდო: 29542

წინააღმდეგობა: 3.01 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
85F332

85F332

ნაწილი საფონდო: 35389

წინააღმდეგობა: 332 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F374

85F374

ნაწილი საფონდო: 35439

წინააღმდეგობა: 374 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F3K01

85F3K01

ნაწილი საფონდო: 31435

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F33R2

85F33R2

ნაწილი საფონდო: 33012

წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F37K4

85F37K4

ნაწილი საფონდო: 17901

წინააღმდეგობა: 37.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F301

85F301

ნაწილი საფონდო: 35418

წინააღმდეგობა: 301 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F30R1

85F30R1

ნაწილი საფონდო: 33030

წინააღმდეგობა: 30.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F2R74

85F2R74

ნაწილი საფონდო: 29541

წინააღმდეგობა: 2.74 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
85F2K74

85F2K74

ნაწილი საფონდო: 31457

წინააღმდეგობა: 2.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F249

85F249

ნაწილი საფონდო: 35356

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F22R1

85F22R1

ნაწილი საფონდო: 33084

წინააღმდეგობა: 22.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F2K21

85F2K21

ნაწილი საფონდო: 31480

წინააღმდეგობა: 2.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F2K0

85F2K0

ნაწილი საფონდო: 31488

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F24K9

85F24K9

ნაწილი საფონდო: 23705

წინააღმდეგობა: 24.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F20R

85F20R

ნაწილი საფონდო: 33082

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F1R82

85F1R82

ნაწილი საფონდო: 29613

წინააღმდეგობა: 1.82 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
85F1R62

85F1R62

ნაწილი საფონდო: 29619

წინააღმდეგობა: 1.62 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
85F221

85F221

ნაწილი საფონდო: 35382

წინააღმდეგობა: 221 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F1K82

85F1K82

ნაწილი საფონდო: 31453

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F1R1

85F1R1

ნაწილი საფონდო: 29588

წინააღმდეგობა: 1.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
85F1K5

85F1K5

ნაწილი საფონდო: 31443

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F1R21

85F1R21

ნაწილი საფონდო: 29600

წინააღმდეგობა: 1.21 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
85F1K62

85F1K62

ნაწილი საფონდო: 31453

წინააღმდეგობა: 1.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F16R2

85F16R2

ნაწილი საფონდო: 33085

წინააღმდეგობა: 16.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F1K21

85F1K21

ნაწილი საფონდო: 31458

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F182

85F182

ნაწილი საფონდო: 35368

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F15K

85F15K

ნაწილი საფონდო: 23682

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F13R3

85F13R3

ნაწილი საფონდო: 33084

წინააღმდეგობა: 13.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი