ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

43J330E

43J330E

ნაწილი საფონდო: 101486

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43J270E

43J270E

ნაწილი საფონდო: 101493

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43J400E

43J400E

ნაწილი საფონდო: 101436

წინააღმდეგობა: 400 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43J450E

43J450E

ნაწილი საფონდო: 101430

წინააღმდეგობა: 450 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43J350E

43J350E

ნაწილი საფონდო: 101451

წინააღმდეგობა: 350 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
43J500E

43J500E

ნაწილი საფონდო: 101508

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
55J20KE

55J20KE

ნაწილი საფონდო: 67243

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
55J10KE

55J10KE

ნაწილი საფონდო: 77088

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
53J5K0E

53J5K0E

ნაწილი საფონდო: 84264

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
55J10RE

55J10RE

ნაწილი საფონდო: 96430

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
53J2K0E

53J2K0E

ნაწილი საფონდო: 96391

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
55J75RE

55J75RE

ნაწილი საფონდო: 96368

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
53J50RE

53J50RE

ნაწილი საფონდო: 124189

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
53JR50E

53JR50E

ნაწილი საფონდო: 124125

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
53J25RE

53J25RE

ნაწილი საფონდო: 124183

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
53J250E

53J250E

ნაწილი საფონდო: 124157

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
53J500E

53J500E

ნაწილი საფონდო: 124213

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
55J5K0E

55J5K0E

ნაწილი საფონდო: 137227

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
55JR10E

55JR10E

ნაწილი საფონდო: 138636

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
55JR50E

55JR50E

ნაწილი საფონდო: 108042

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი
55J2K0E

55J2K0E

ნაწილი საფონდო: 158696

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
53J10KE

53J10KE

ნაწილი საფონდო: 134994

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
55J50RE

55J50RE

ნაწილი საფონდო: 194148

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
55J100E

55J100E

ნაწილი საფონდო: 190385

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
55J1K0E

55J1K0E

ნაწილი საფონდო: 109005

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
55J750E

55J750E

ნაწილი საფონდო: 128666

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
55J7R5E

55J7R5E

ნაწილი საფონდო: 122059

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
55J250E

55J250E

ნაწილი საფონდო: 138194

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
55J25RE

55J25RE

ნაწილი საფონდო: 197611

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
55J5R0E

55J5R0E

ნაწილი საფონდო: 162239

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
55J500E

55J500E

ნაწილი საფონდო: 142440

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
55J1R0E

55J1R0E

ნაწილი საფონდო: 145267

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
53J7R5E

53J7R5E

ნაწილი საფონდო: 114006

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
53J5R0E

53J5R0E

ნაწილი საფონდო: 128563

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
53J750E

53J750E

ნაწილი საფონდო: 170659

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C,

სასურველი
53JR10E

53JR10E

ნაწილი საფონდო: 118163

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±90ppm/°C,

სასურველი