ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

85F40R2

85F40R2

ნაწილი საფონდო: 33005

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F15R

85F15R

ნაწილი საფონდო: 33083

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F12R1

85F12R1

ნაწილი საფონდო: 32993

წინააღმდეგობა: 12.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F27R4

85F27R4

ნაწილი საფონდო: 33033

წინააღმდეგობა: 27.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F24R9

85F24R9

ნაწილი საფონდო: 33062

წინააღმდეგობა: 24.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F18R2

85F18R2

ნაწილი საფონდო: 33001

წინააღმდეგობა: 18.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F49R9

85F49R9

ნაწილი საფონდო: 33080

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F11R

85F11R

ნაწილი საფონდო: 32995

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F3R01

83F3R01

ნაწილი საფონდო: 33321

წინააღმდეგობა: 3.01 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83F4R02

83F4R02

ნაწილი საფონდო: 33285

წინააღმდეგობა: 4.02 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83F8R25

83F8R25

ნაწილი საფონდო: 33276

წინააღმდეგობა: 8.25 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83F1R33

83F1R33

ნაწილი საფონდო: 33306

წინააღმდეგობა: 1.33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83F1R21

83F1R21

ნაწილი საფონდო: 33313

წინააღმდეგობა: 1.21 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83F4R99

83F4R99

ნაწილი საფონდო: 33340

წინააღმდეგობა: 4.99 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83F1R1

83F1R1

ნაწილი საფონდო: 33351

წინააღმდეგობა: 1.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83F1R0

83F1R0

ნაწილი საფონდო: 33359

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83F1R62

83F1R62

ნაწილი საფონდო: 33311

წინააღმდეგობა: 1.62 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
83F4R53

83F4R53

ნაწილი საფონდო: 33268

წინააღმდეგობა: 4.53 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
85F200

85F200

ნაწილი საფონდო: 35378

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F100

85F100

ნაწილი საფონდო: 35361

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F274

85F274

ნაწილი საფონდო: 35368

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F110

85F110

ნაწილი საფონდო: 35346

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
85F619

85F619

ნაწილი საფონდო: 35412

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F332

83F332

ნაწილი საფონდო: 36773

წინააღმდეგობა: 332 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F511

83F511

ნაწილი საფონდო: 36767

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F825

83F825

ნაწილი საფონდო: 36776

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F133

83F133

ნაწილი საფონდო: 36799

წინააღმდეგობა: 133 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F274

83F274

ნაწილი საფონდო: 36709

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F402

83F402

ნაწილი საფონდო: 36784

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F619

83F619

ნაწილი საფონდო: 36745

წინააღმდეგობა: 619 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F100

83F100

ნაწილი საფონდო: 36733

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F200

83F200

ნაწილი საფონდო: 36745

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F562

83F562

ნაწილი საფონდო: 36801

წინააღმდეგობა: 562 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F249

83F249

ნაწილი საფონდო: 36770

წინააღმდეგობა: 249 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F453

83F453

ნაწილი საფონდო: 36715

წინააღმდეგობა: 453 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი
83F37R4

83F37R4

ნაწილი საფონდო: 37425

წინააღმდეგობა: 37.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C,

სასურველი