შასის მთის წინააღმდეგობები

TL88K2K70

TL88K2K70

ნაწილი საფონდო: 2240

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
TL88K75R0E

TL88K75R0E

ნაწილი საფონდო: 2600

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
HS200 2K5 F

HS200 2K5 F

ნაწილი საფონდო: 2492

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TL88K250R

TL88K250R

ნაწილი საფონდო: 2220

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
F55J1R5

F55J1R5

ნაწილი საფონდო: 4881

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TL122K10R0

TL122K10R0

ნაწილი საფონდო: 1944

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 202W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
C300K10R

C300K10R

ნაწილი საფონდო: 2594

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 400°C,

სასურველი
F10J750

F10J750

ნაწილი საფონდო: 8847

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TL54K4R00

TL54K4R00

ნაწილი საფონდო: 3126

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 27W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
EVRT375ERR47KE

EVRT375ERR47KE

ნაწილი საფონდო: 8678

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TL88K51K0

TL88K51K0

ნაწილი საფონდო: 2221

წინააღმდეგობა: 51 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
PFE5KR180

PFE5KR180

ნაწილი საფონდო: 439

წინააღმდეგობა: 180 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1012W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F40J3R0

F40J3R0

ნაწილი საფონდო: 6114

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F20J1K5

F20J1K5

ნაწილი საფონდო: 8973

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TL88K2R00

TL88K2R00

ნაწილი საფონდო: 2218

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
TL88K3R00E

TL88K3R00E

ნაწილი საფონდო: 2256

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
TGHGCR0100FE

TGHGCR0100FE

ნაწილი საფონდო: 2527

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±60ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
F20J50K

F20J50K

ნაწილი საფონდო: 5916

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F30J1R5

F30J1R5

ნაწილი საფონდო: 5598

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
C1000J1R53

C1000J1R53

ნაწილი საფონდო: 174

წინააღმდეგობა: 1.53 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 400°C,

სასურველი
HS300 20R J

HS300 20R J

ნაწილი საფონდო: 2498

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS300 470R J

HS300 470R J

ნაწილი საფონდო: 2478

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F20J12K5

F20J12K5

ნაწილი საფონდო: 8477

წინააღმდეგობა: 12.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J100K

L225J100K

ნაწილი საფონდო: 2801

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J4R0

L100J4R0

ნაწილი საფონდო: 5122

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TGHGCR0050FE

TGHGCR0050FE

ნაწილი საფონდო: 2524

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±60ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
TL88K7K50

TL88K7K50

ნაწილი საფონდო: 2267

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
L12J220

L12J220

ნაწილი საფონდო: 12205

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L12J1K5

L12J1K5

ნაწილი საფონდო: 12033

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TL104K10R0C

TL104K10R0C

ნაწილი საფონდო: 2058

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 158W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
HS300 3R3 J

HS300 3R3 J

ნაწილი საფონდო: 2524

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TL88K5K10

TL88K5K10

ნაწილი საფონდო: 2229

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
L12J15R

L12J15R

ნაწილი საფონდო: 12246

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L12J15K

L12J15K

ნაწილი საფონდო: 8423

წინააღმდეგობა: 15 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J3R0

L225J3R0

ნაწილი საფონდო: 3018

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
WFH330L2R0K

WFH330L2R0K

ნაწილი საფონდო: 8467

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 330W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 220°C,

სასურველი