შასის მთის წინააღმდეგობები

TGHMVR100JE

TGHMVR100JE

ნაწილი საფონდო: 159

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

სასურველი
TL88K2R00E

TL88K2R00E

ნაწილი საფონდო: 2405

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
F20J40R

F20J40R

ნაწილი საფონდო: 8573

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 330R F

HS200 330R F

ნაწილი საფონდო: 2556

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F20J20K

F20J20K

ნაწილი საფონდო: 8393

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F40J4K0

F40J4K0

ნაწილი საფონდო: 6141

წინააღმდეგობა: 4 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
PFE5KR120

PFE5KR120

ნაწილი საფონდო: 293

წინააღმდეგობა: 120 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 994W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L25J80K

L25J80K

ნაწილი საფონდო: 7946

წინააღმდეგობა: 80 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TL88K22R0

TL88K22R0

ნაწილი საფონდო: 2241

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
HS300 330R J

HS300 330R J

ნაწილი საფონდო: 2465

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F20J400

F20J400

ნაწილი საფონდო: 9209

წინააღმდეგობა: 400 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L25J70K

L25J70K

ნაწილი საფონდო: 7309

წინააღმდეგობა: 70 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TGHMV5K00JE

TGHMV5K00JE

ნაწილი საფონდო: 318

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

სასურველი
F10J600

F10J600

ნაწილი საფონდო: 8867

წინააღმდეგობა: 600 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 R22 F

HS200 R22 F

ნაწილი საფონდო: 2495

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
C300KR40E

C300KR40E

ნაწილი საფონდო: 2275

წინააღმდეგობა: 400 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 400°C,

სასურველი
HS200 500R F

HS200 500R F

ნაწილი საფონდო: 2539

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
EVRT170EN10RJE

EVRT170EN10RJE

ნაწილი საფონდო: 2315

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS300 20R F

HS300 20R F

ნაწილი საფონდო: 2090

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F20J1K25

F20J1K25

ნაწილი საფონდო: 8991

წინააღმდეგობა: 1.25 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F10J400

F10J400

ნაწილი საფონდო: 8802

წინააღმდეგობა: 400 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS300 1R2 J

HS300 1R2 J

ნაწილი საფონდო: 2477

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F55J10K

F55J10K

ნაწილი საფონდო: 4854

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 50R F

HS200 50R F

ნაწილი საფონდო: 2524

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS200 5R F

HS200 5R F

ნაწილი საფონდო: 2527

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TL88K470RE

TL88K470RE

ნაწილი საფონდო: 2650

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
TL88K510R

TL88K510R

ნაწილი საფონდო: 2214

წინააღმდეგობა: 510 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
F55J25K

F55J25K

ნაწილი საფონდო: 4078

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J75K

L225J75K

ნაწილი საფონდო: 3195

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS300 22R J

HS300 22R J

ნაწილი საფონდო: 2466

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
EVRT375ER22RJE

EVRT375ER22RJE

ნაწილი საფონდო: 2438

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 33R F

HS200 33R F

ნაწილი საფონდო: 2559

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TL88K1R00E

TL88K1R00E

ნაწილი საფონდო: 2626

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
TGHMV2K50JE

TGHMV2K50JE

ნაწილი საფონდო: 153

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

სასურველი
TL88K2K20

TL88K2K20

ნაწილი საფონდო: 2223

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
F10J7R5

F10J7R5

ნაწილი საფონდო: 8486

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი