შასის მთის წინააღმდეგობები

F55J5K0

F55J5K0

ნაწილი საფონდო: 5033

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 120R F

HS200 120R F

ნაწილი საფონდო: 2554

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TL88K7K50E

TL88K7K50E

ნაწილი საფონდო: 2332

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
HS300 R3 J

HS300 R3 J

ნაწილი საფონდო: 2443

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
EVFL375ER47RJE

EVFL375ER47RJE

ნაწილი საფონდო: 8623

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 700W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TL88K7R50E

TL88K7R50E

ნაწილი საფონდო: 2394

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
WFH230L100JE

WFH230L100JE

ნაწილი საფონდო: 2433

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 230W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 220°C,

სასურველი
HS200 5K F

HS200 5K F

ნაწილი საფონდო: 2498

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TGHMV50R0JE

TGHMV50R0JE

ნაწილი საფონდო: 122

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

სასურველი
WFH230L5R0KE

WFH230L5R0KE

ნაწილი საფონდო: 2287

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 230W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 220°C,

სასურველი
WFH230L1R0KE

WFH230L1R0KE

ნაწილი საფონდო: 2275

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 230W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 220°C,

სასურველი
HS100 3R F

HS100 3R F

ნაწილი საფონდო: 7730

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TL88K250RE

TL88K250RE

ნაწილი საფონდო: 2416

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
F30J4K0

F30J4K0

ნაწილი საფონდო: 5460

წინააღმდეგობა: 4 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F55J7K5

F55J7K5

ნაწილი საფონდო: 5000

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 220R J

HS200 220R J

ნაწილი საფონდო: 2861

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS200 R56 F

HS200 R56 F

ნაწილი საფონდო: 2471

წინააღმდეგობა: 560 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
WFH90L4R7KE

WFH90L4R7KE

ნაწილი საფონდო: 2416

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 90W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 220°C,

სასურველი
MOX-J-021505JE

MOX-J-021505JE

ნაწილი საფონდო: 8779

წინააღმდეგობა: 15 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

სასურველი
HS200 R82 F

HS200 R82 F

ნაწილი საფონდო: 2495

წინააღმდეგობა: 820 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS300 5R J

HS300 5R J

ნაწილი საფონდო: 2476

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TL71K220R

TL71K220R

ნაწილი საფონდო: 2499

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 71W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
C300K12RE

C300K12RE

ნაწილი საფონდო: 2525

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 400°C,

სასურველი
HS200 4R4 J

HS200 4R4 J

ნაწილი საფონდო: 2865

წინააღმდეგობა: 4.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TL88K220R

TL88K220R

ნაწილი საფონდო: 2290

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
HS200 82R J

HS200 82R J

ნაწილი საფონდო: 2862

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS200 R15 F

HS200 R15 F

ნაწილი საფონდო: 2534

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TL88K10R0E

TL88K10R0E

ნაწილი საფონდო: 2290

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
F30J3R0

F30J3R0

ნაწილი საფონდო: 5631

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
C300KR40

C300KR40

ნაწილი საფონდო: 2016

წინააღმდეგობა: 400 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 400°C,

სასურველი
HS150 4R F

HS150 4R F

ნაწილი საფონდო: 7171

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F40J10R

F40J10R

ნაწილი საფონდო: 6109

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TL104K2K20

TL104K2K20

ნაწილი საფონდო: 2110

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 158W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
F40J40R

F40J40R

ნაწილი საფონდო: 6152

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F30J40R

F30J40R

ნაწილი საფონდო: 5588

წინააღმდეგობა: 40 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L12J47K

L12J47K

ნაწილი საფონდო: 7822

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი