შასის მთის წინააღმდეგობები

C300K3R1

C300K3R1

ნაწილი საფონდო: 2488

წინააღმდეგობა: 3.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 400°C,

სასურველი
TGHMV10K0JE

TGHMV10K0JE

ნაწილი საფონდო: 183

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

სასურველი
WFH230LR47KE

WFH230LR47KE

ნაწილი საფონდო: 2286

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 230W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 220°C,

სასურველი
HS300 10R J

HS300 10R J

ნაწილი საფონდო: 2503

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS200 R33 F

HS200 R33 F

ნაწილი საფონდო: 2489

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F30J400

F30J400

ნაწილი საფონდო: 5493

წინააღმდეგობა: 400 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F10J75R

F10J75R

ნაწილი საფონდო: 8997

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F10J50R

F10J50R

ნაწილი საფონდო: 8990

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L12J560

L12J560

ნაწილი საფონდო: 12292

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TGHMV100RJE

TGHMV100RJE

ნაწილი საფონდო: 211

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

სასურველი
C300KR80E

C300KR80E

ნაწილი საფონდო: 2197

წინააღმდეგობა: 800 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 400°C,

სასურველი
HS300 680R J

HS300 680R J

ნაწილი საფონდო: 2484

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F55J150

F55J150

ნაწილი საფონდო: 5186

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 4R7 J

HS200 4R7 J

ნაწილი საფონდო: 2786

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
EVRT170ENR10KE

EVRT170ENR10KE

ნაწილი საფონდო: 2280

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS300 6R8 J

HS300 6R8 J

ნაწილი საფონდო: 2431

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L12J10R

L12J10R

ნაწილი საფონდო: 12234

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
C300K16R

C300K16R

ნაწილი საფონდო: 2581

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 400°C,

სასურველი
HS200 22R J

HS200 22R J

ნაწილი საფონდო: 2831

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L12J1K8

L12J1K8

ნაწილი საფონდო: 11945

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L175J100K

L175J100K

ნაწილი საფონდო: 3266

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 175W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F10J4K0

F10J4K0

ნაწილი საფონდო: 8830

წინააღმდეგობა: 4 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F10J200

F10J200

ნაწილი საფონდო: 8832

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 5K1 F

HS200 5K1 F

ნაწილი საფონდო: 2552

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS300 1K2 J

HS300 1K2 J

ნაწილი საფონდო: 2503

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
HS200 3R F

HS200 3R F

ნაწილი საფონდო: 2542

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L12J680

L12J680

ნაწილი საფონდო: 12216

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
WFH160LR47KE

WFH160LR47KE

ნაწილი საფონდო: 2886

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 160W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 220°C,

სასურველი
F10J1K5

F10J1K5

ნაწილი საფონდო: 8432

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 33R J

HS200 33R J

ნაწილი საფონდო: 2838

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS200 150R J

HS200 150R J

ნაწილი საფონდო: 2815

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
EVRT375ER2R2JE

EVRT375ER2R2JE

ნაწილი საფონდო: 8651

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 3R3 J

HS200 3R3 J

ნაწილი საფონდო: 2505

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F40J1R5

F40J1R5

ნაწილი საფონდო: 6071

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F10J10R

F10J10R

ნაწილი საფონდო: 8998

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L12J8K2

L12J8K2

ნაწილი საფონდო: 8859

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი