შასის მთის წინააღმდეგობები

HS300 33R J

HS300 33R J

ნაწილი საფონდო: 2452

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F30J7K5

F30J7K5

ნაწილი საფონდო: 5772

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F30J200

F30J200

ნაწილი საფონდო: 5452

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J2R0

L225J2R0

ნაწილი საფონდო: 2221

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TGHGCR0500DE

TGHGCR0500DE

ნაწილი საფონდო: 8809

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±60ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
WFH160L10RKE

WFH160L10RKE

ნაწილი საფონდო: 2906

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 160W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 220°C,

სასურველი
WFH160L1K0JE

WFH160L1K0JE

ნაწილი საფონდო: 2953

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 160W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 220°C,

სასურველი
TL88K10K0E

TL88K10K0E

ნაწილი საფონდო: 2385

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
TL71K22K0

TL71K22K0

ნაწილი საფონდო: 2543

წინააღმდეგობა: 22 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 71W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
L100J60K

L100J60K

ნაწილი საფონდო: 4403

წინააღმდეგობა: 60 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
WFH90L10RKE

WFH90L10RKE

ნაწილი საფონდო: 2385

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 90W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 220°C,

სასურველი
HS200 2R2 F

HS200 2R2 F

ნაწილი საფონდო: 2534

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TGHGCR0010FE

TGHGCR0010FE

ნაწილი საფონდო: 2571

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±60ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
HS200 250R F

HS200 250R F

ნაწილი საფონდო: 2542

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS300 2R2 J

HS300 2R2 J

ნაწილი საფონდო: 2506

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS200 2K F

HS200 2K F

ნაწილი საფონდო: 2566

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
F40J250

F40J250

ნაწილი საფონდო: 6137

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 330R J

HS200 330R J

ნაწილი საფონდო: 2791

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
HS50 R2 F

HS50 R2 F

ნაწილი საფონდო: 28280

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
WFH230L2K5JE

WFH230L2K5JE

ნაწილი საფონდო: 2283

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 230W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 220°C,

სასურველი
TL88K150R

TL88K150R

ნაწილი საფონდო: 2216

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
TGHMV500RJE

TGHMV500RJE

ნაწილი საფონდო: 204

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 175°C,

სასურველი
L225J2R0E

L225J2R0E

ნაწილი საფონდო: 2342

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F20J75R

F20J75R

ნაწილი საფონდო: 8541

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 68R F

HS200 68R F

ნაწილი საფონდო: 2507

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
L12J33K

L12J33K

ნაწილი საფონდო: 8138

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 12W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F30J10R

F30J10R

ნაწილი საფონდო: 5633

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TL88K2K70E

TL88K2K70E

ნაწილი საფონდო: 2341

წინააღმდეგობა: 2.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 114W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
C300K2R5

C300K2R5

ნაწილი საფონდო: 2478

წინააღმდეგობა: 2.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 400°C,

სასურველი
F20J40K

F20J40K

ნაწილი საფონდო: 7984

წინააღმდეგობა: 40 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TL54K2R00

TL54K2R00

ნაწილი საფონდო: 3137

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 27W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
TL71K150R

TL71K150R

ნაწილი საფონდო: 2478

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 71W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
F10J15R

F10J15R

ნაწილი საფონდო: 8984

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS200 10R F

HS200 10R F

ნაწილი საფონდო: 2539

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
TL122K47R0

TL122K47R0

ნაწილი საფონდო: 1877

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 202W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 125°C,

სასურველი
HS200 R1 F

HS200 R1 F

ნაწილი საფონდო: 2534

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი