შასის მთის წინააღმდეგობები

L225J25KE

L225J25KE

ნაწილი საფონდო: 3526

წინააღმდეგობა: 25 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J50KE

L225J50KE

ნაწილი საფონდო: 3614

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L175J50R

L175J50R

ნაწილი საფონდო: 3691

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 175W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J50RE

L225J50RE

ნაწილი საფონდო: 3388

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J75RE

L225J75RE

ნაწილი საფონდო: 3407

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J20K

L225J20K

ნაწილი საფონდო: 3704

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J100E

L225J100E

ნაწილი საფონდო: 3369

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J40KE

L225J40KE

ნაწილი საფონდო: 3656

წინააღმდეგობა: 40 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J2K5E

L225J2K5E

ნაწილი საფონდო: 3597

წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J1K5E

L225J1K5E

ნაწილი საფონდო: 3603

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J60KE

L225J60KE

ნაწილი საფონდო: 3651

წინააღმდეგობა: 60 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
WFH90L470JE

WFH90L470JE

ნაწილი საფონდო: 3243

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 90W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -40°C ~ 220°C,

სასურველი
L225J75R

L225J75R

ნაწილი საფონდო: 3046

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L225J1K0E

L225J1K0E

ნაწილი საფონდო: 3620

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 225W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F40J1R5E

F40J1R5E

ნაწილი საფონდო: 5883

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F55J1R5E

F55J1R5E

ნაწილი საფონდო: 5364

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F20J15RE

F20J15RE

ნაწილი საფონდო: 9283

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
EVFT119EM47KJE

EVFT119EM47KJE

ნაწილი საფონდო: 4463

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 72W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J5K0

L100J5K0

ნაწილი საფონდო: 5266

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J75K

L100J75K

ნაწილი საფონდო: 4185

წინააღმდეგობა: 75 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F30J75R

F30J75R

ნაწილი საფონდო: 5614

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L175J5K0

L175J5K0

ნაწილი საფონდო: 4103

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 175W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J2K0

L100J2K0

ნაწილი საფონდო: 4720

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F30J4K0E

F30J4K0E

ნაწილი საფონდო: 6002

წინააღმდეგობა: 4 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L50J100E

L50J100E

ნაწილი საფონდო: 6550

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
HS150 120R F

HS150 120R F

ნაწილი საფონდო: 7086

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
F55J50RE

F55J50RE

ნაწილი საფონდო: 4645

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J50RE

L100J50RE

ნაწილი საფონდო: 4872

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F55J3K0E

F55J3K0E

ნაწილი საფონდო: 5648

წინააღმდეგობა: 3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L175J1K0E

L175J1K0E

ნაწილი საფონდო: 4456

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 175W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L100J2K0E

L100J2K0E

ნაწილი საფონდო: 5169

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
L50J10KE

L50J10KE

ნაწილი საფონდო: 6229

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F55J250E

F55J250E

ნაწილი საფონდო: 5685

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F55J250

F55J250

ნაწილი საფონდო: 5260

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F55J7K5E

F55J7K5E

ნაწილი საფონდო: 5473

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 55W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
F40J4R0E

F40J4R0E

ნაწილი საფონდო: 5943

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი